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태양 전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015062748
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 지지 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 계면 활성제를 위치시키고 열처리하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01)
출원번호/일자 1020100089671 (2010.09.13)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1172179-0000 (2012.08.01)
공개번호/일자 10-2012-0027862 (2012.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20120807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배도원 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0594557-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0061418-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0699454-27
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0072984-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0072986-10
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0389613-98
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 계면 활성제를 위치시키고 열처리하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계 를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 계면 활성제가 소듐(sodium, Na)을 포함하여 상기 소듐이 상기 광 흡수층 내로 확산되는 태양 전지의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 계면 활성제는 소듐 팔미테이트(sodium palmitate)(CH3(CH2)14CO2Na), 소듐 라우릴 설페이트(sodium lauryl sulphate, SLS), 알파 술폰산 소듐(alpha sulfonic acid sodium) 및 알파 올레핀 술폰산 소듐(alpha olefin sulfonic acid sodium) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 열처리하는 단계의 열처리 온도는 50℃ 내지 100℃의 온도인 태양 전지의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 열처리하는 단계와 상기 제2 전극층을 형성하는 단계 사이에, 상기 계면 활성제가 위치한 상기 광 흡수층을 세정하는 단계; 및 상기 열처리 단계 이후에 진행되는 후 열처리하는 단계를 더 포함하고,상기 후 열처리하는 단계의 열처리 온도는 150 ℃ 내지 300 ℃인 태양 전지의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 열처리하는 단계 이후에 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 전극층을 형성하는 단계에서는 상기 버퍼층 상에 상기 제2 전극층을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 광 흡수층 상에 계면 활성제를 위치시키고 열처리하는 단계는, 상기 광 흡수층 상에 상기 계면 활성제를 포함하는 버퍼층 형성 용액을 위치시키고 상기 버퍼층 형성 용액의 반응을 위하여 열처리하는 단계에서 수행되는 태양 전지의 제조 방법
8 8
지지 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 계면 활성제를 위치시키는 단계; 상기 계면 활성제가 위치한 상기 광 흡수층을 세정하는 단계; 상기 광 흡수층을 후 열처리하는 단계; 상기 광 흡수층에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계 를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 후 열처리 단계의 온도가 150℃ 내지 300℃인 태양 전지의 제조 방법
10 10
지지 기판; 상기 지지 기판 상에 위치하는 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 위치하는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에서 상기 광 흡수층에 접촉 형성되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 위치하는 제2 전극층을 포함하고, 상기 광 흡수층이 소듐을 포함하고, 상기 광 흡수층의 소듐 함량은 상기 버퍼층에 접촉하는 상기 광 흡수층의 제1 면으로부터 상기 제1 전극층에 인접한 상기 광 흡수층의 제2 면을 향하면서 줄어드는 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.