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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015062752
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되는 전극층을 포함하고, 상기 기판은 지지층; 및 상기 지지층 상에 배치되고, 상기 전극층에 인접하는 열팽창 완화층을 포함한다. 열팽창 완화층에 의해서, 태양전지의 강도 및 신뢰성이 향상된다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020100091279 (2010.09.16)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1144393-0000 (2012.05.02)
공개번호/일자 10-2012-0029282 (2012.03.26) 문서열기
공고번호/일자 (20120510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.16)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배도원 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0604939-84
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0478895-76
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0833041-49
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0833040-04
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0159111-07
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치되는 전극층;상기 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하고,상기 기판은지지층; 및상기 지지층 상에 배치되고, 상기 전극층에 인접하는 열팽창 완화층을 포함하고,상기 열팽창 완화층은 폴리머층을 포함하고, 상기 폴리머층에는 금속이 도핑되는 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 지지층 및 상기 열팽창 완화층은 일체로 형성되는 태양전지
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 금속은 크롬, 바나듐, 네오디뮴, 탄탈륨 또는 몰리브덴으로부터 선택되는 태양전지
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 열팽창 완화층의 두께는 50㎚ 내지 500㎚인 태양전지
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 지지층 및 상기 열팽창 완화층은 폴리이미드를 포함하고,상기 전극층은 몰리브덴을 포함하고,상기 열팽창 완화층에는 금속이 도핑되는 태양전지
7 7
금속이 주입된 폴리머 기판;상기 폴리머 기판 상에 형성되는 전극층;상기 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하는 태양전지
8 8
제 7 항에 있어서,상기 폴리머 기판은 폴리이미드를 포함하고,상기 전극층은 몰리브덴을 포함하고,상기 금속의 열팽창 계수는 몰리브덴의 열팽창 계수보다 낮고, 폴리이미드의 열팽창 계수보다 더 높은 태양전지
9 9
기판에 금속을 주입하여, 열팽창 완화층을 형성하는 단계;상기 열팽창 완화층 상에 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 금속의 열팽창 계수는 상기 전극층의 열팽창 계수보다 낮은 태양전지의 제조방법
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 금속은 상기 전극층에 포함된 금속과 다른 태양전지의 제조방법
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 기판에 금속을 주입하는 단계에서, 상기 기판의 상면에 요철이 형성되는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.