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태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015062845
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요약 본 발명은 태양 전지에 관한 것으로서, 상기 태양 전지는 복수의 비아홀을 구비하고 복수의 돌출부를 갖는 텍스처링 표면을 갖는 제1 도전성 타입의 기판, 상기 1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖고 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부, 상기 기판의 제1 면에 위치하고 상기 에미터부와 연결되어 있는 복수의 제1 전극, 상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하는 상기 기판의 제2 면에 위치하고, 상기 복수의 비아홀을 통해 상기 복수의 제1 전극과 연결되어 있는 복수의 제1 전극용 집전부, 그리고 상기 기판의 상기 제2 면 위에 위치하며, 상기 복수의 제1 전극용 집전부와 이격되어 있고 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 복수의 제1 전극 각각은 40㎛ 내지 80㎛의 선폭을 갖는다. 이로 인해, 빛이 입사되는 기판의 면에 형성되는 전극의 폭을 감소시켜 전극간의 간격을 좁히므로, 텍스처링 표면으로 증가한 전하의 이동 거리를 보상하여 전극으로 출력되는 전하의 양이 증가되므로, 태양 전지의 효율이 향상된다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020100102754 (2010.10.21)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1642153-0000 (2016.07.18)
공개번호/일자 10-2012-0041341 (2012.05.02) 문서열기
공고번호/일자 (20160729) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.08)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경수 대한민국 서울특별시 서초구
2 최형욱 대한민국 서울특별시 서초구
3 이기원 대한민국 서울특별시 서초구
4 하만효 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0679647-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0663184-19
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2016-0018097-82
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0289917-98
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0593609-92
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0593633-88
9 등록결정서
Decision to grant
2016.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0464712-41
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 비아홀을 구비하고 복수의 돌출부를 갖는 텍스처링 표면을 갖는 제1 도전성 타입의 기판,상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖고 상기 기판과 p-n 접합을 형성하며, 상기 기판의 제1면 및 상기 복수의 비아홀 내부에 위치하는 에미터부,상기 기판의 제1 면에 위치하고 상기 에미터부와 연결되어 있는 복수의 제1 전극,상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하는 상기 기판의 제2 면에 위치하고 상기 복수의 비아홀을 통해 상기 복수의 제1 전극 및 상기 에미터부와 연결되어 있는 복수의 제1 전극용 집전부,상기 기판의 상기 제2 면 위에 위치하며, 상기 복수의 제1 전극용 집전부와 이격되어 있고 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극, 그리고상기 기판의 상기 제2 면 위에 위치하며, 상기 제2 전극 및 상기 에미터부와 연결되어 있는 복수의 제2 전극용 집전부 를 포함하고,상기 복수의 제1 전극 각각은 40㎛ 내지 80㎛의 선폭을 갖고,상기 기판의 상기 제1면에 위치하는 에미터부의 도핑 농도와 상기 복수의 비아홀 내부에 위치하는 에미터부의 도핑 농도는 서로 동일한 태양 전지
2 2
제1항에서,상기 복수의 제1 전극 각각은 20㎛ 내지 50㎛의 두께를 갖는 태양 전지
3 3
제1항에서,상기 복수의 돌출부 각각의 최대 지름과 높이는 각각 100㎚ 내지 800㎚인 태양 전지
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,상기 복수의 제1 전극의 개수는 100 내지 120개인 태양 전지
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,상기 복수의 제1 전극 중에서 인접한 두 제1 전극의 길이에 평행한 중심선간의 거리는 1
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,상기 복수의 돌출부 각각의 종횡비는 1 내지 1
7 7
삭제
8 8
제1항에서,상기 기판의 상기 제1 면은 입사면이고, 상기 기판의 상기 제2 면은 비입사면인 태양 전지
9 9
기판에 복수의 비아홀을 형성하는 단계,상기 복수의 비아홀을 구비한 상기 기판의 제1 면에 텍스처링 표면을 형성하는 단계,상기 기판의 제1면과 상기 제1면의 반대편에 위치하는 제2면, 그리고 상기 복수의 비아홀 내부에 에미터부를 형성하는 단계,상기 기판의 상기 제1 면 위에 반사 방지부를 형성하는 단계,상기 기판의 상기 제2 면 위에 스크린 인쇄법(screen printing)을 이용하여 제2 전극 패턴을 형성하는 단계,스크린 인쇄법을 이용하여 상기 기판의 상기 제2 면 위에 복수의 제1 전극용 집전부 패턴과 복수의 제2 전극용 집전부 패턴을 동시에 형성하는 단계,상기 반사 방지부 위에 복수의 제1 전극 패턴을 형성하는 단계, 그리고상기 복수의 제1 전극 패턴 및 상기 제2 전극 패턴과 상기 복수의 제1 및 제2 전극용 집전부 패턴을 구비한 상기 기판을 열처리하여, 상기 기판의 상기 제1 면에 위치한 상기 에미터부와 파이어 스루(fire-through) 동작에 의해 연결되는 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극과 연결되는 복수의 제1 전극용 집전부, 상기 기판의 상기 제2 면과 연결되는 제2 전극 그리고 상기 제2 전극 및 상기 제2면의 에미터부와 연결되는 복수의 제2 전극용 집전부를 형성하는 단계를 포함하고,상기 복수의 제1 전극 패턴 각각은 45㎛ 내지 85㎛의 선폭을 갖고,상기 제1 전극 패턴은 상기 제1 및 제2 전극용 집전부 패턴과 다른 방법으로 형성되고,상기 기판의 상기 제1면에 위치하는 에미터부의 도핑 농도와 상기 복수의 비아홀 내부에 위치하는 에미터부의 도핑 농도는 서로 동일한 태양 전지의 제조 방법
10 10
제9항에서,상기 복수의 제1 전극 패턴 각각은 25㎛ 내지 55㎛의 두께를 갖는 태양 전지의 제조 방법
11 11
제9항 또는 제10항에서,상기 복수의 제1 전극 패턴은 잉크젯 인쇄법(ink jet printing), 에어졸 젯 인쇄법(aerosol jet printing), 증착법(evaporation), 그라비아 인쇄법(gravure printing), 플렉소 인쇄법(flexo printing), 오프셋 인쇄법(offset printing), 또는 그라비아 오프셋 인쇄법(gravure offset printing)으로 형성되는 태양 전지의 제조 방법
12 12
기판에 복수의 비아홀을 형성하는 단계,상기 복수의 비아홀을 구비한 상기 기판의 제1 면에 텍스처링 표면을 형성하는 단계,상기 텍스처링 표면을 구비한 상기 기판의 제1 면과 상기 제1 면의 반대편에 위치하는 제2 면, 그리고 상기 복수의 비아홀 내부에 에미터부를 형성하는 단계,상기 기판의 상기 제2 면 위에 스크린 인쇄법(screen printing)을 이용하여 제2 전극 패턴을 형성하는 단계, 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 기판의 상기 제2 면 위에 복수의 제1 전극용 집전부 패턴과 복수의 제2 전극용 집전부 패턴을 동시에 형성하는 단계,상기 기판의 상기 제1 면에 위치한 상기 에미터부 위에 복수의 제1 전극 패턴을 형성하는 단계, 그리고상기 복수의 제1 전극 패턴 및 상기 제2 전극 패턴과 상기 복수의 제1 및 제2 전극용 집전부 패턴을 구비한 상기 기판을 열처리하여, 상기 기판의 상기 제1 면에 위치한 상기 에미터부와 연결되는 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극과 연결되는 복수의 제1 전극용 집전부, 상기 기판의 상기 제2 면과 연결되는 제2 전극 그리고 상기 제2 전극 및 상기 제2면의 에미터부와 연결되는 복수의 제2 전극용 집전부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 제1 전극은 40㎛ 내지 80㎛의 선폭을 갖고,상기 제1 전극 패턴은 상기 제1 및 제2 전극용 집전부 패턴과 다른 방법으로 형성되고,상기 기판의 상기 제1면에 위치하는 에미터부의 도핑 농도와 상기 복수의 비아홀 내부에 위치하는 에미터부의 도핑 농도는 서로 동일한 태양 전지의 제조 방법
13 13
제12항에서, 상기 에미터부 위에 위치하는 반사 방지부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제13항에서, 상기 복수의 제1 전극 패턴 형성 단계는 상기 반사 방지부의 일부를 제거하여 상기 에미터부의 일부를 노출하는 단계, 그리고노출된 상기 에미터부 위에 상기 복수의 제1 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
15 15
제13항에서, 상기 반사 방지부 형성 단계는 상기 복수의 제1 전극 패턴 위에 마스크를 형성하는 단계,상기 기판의 상기 제1 면 위에 상기 반사 방지부를 형성하는 단계, 그리고상기 복수의 제1 전극 패턴 위에 위치한 상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
16 16
제12항에서, 상기 복수의 제1 전극 패턴은 잉크젯 인쇄법(ink jet printing), 에어졸 젯 인쇄법(aerosol jet printing), 증착법(evaporation), 그라비아 인쇄법(gravure printing), 플렉소 인쇄법(flexo printing), 오프셋 인쇄법(offset printing), 그라비아 오프셋 인쇄법(gravure offset printing), 또는 도금법으로 형성되는 태양 전지의 제조 방법
17 17
제12항에서,상기 복수의 제1 전극 각각은 20㎛ 내지 50㎛의 두께를 갖는 태양 전지의 제조 방법
18 18
삭제
19 19
제9항 또는 제12항에서,상기 텍스처링 표면은 반응성 이온 식각법으로 형성되는 태양 전지의 제조 방법
20 20
제9항 또는 제12항에서, 상기 텍스처링 표면은 복수의 돌출부를 구비하고, 상기 복수의 돌출부 각각의 최대 지름과 높이는 각각 100㎚ 내지 800㎚인 태양 전지의 제조 방법
21 21
제19항에서,상기 복수의 돌출부 각각의 종횡비는 1 내지 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.