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제2 전극층;제2 도전형 반도체층, 활성층, 및 제1 도전형 반도체층을 포함하며, 상기 제2 전극층 상에 배치되는 발광 구조물;패드부 및 상기 패드부에 연결되는 전극부를 포함하며, 상기 발광 구조물 상에 배치되는 제1 전극층; 및상기 전극부에 대응하여 적어도 일부가 오버랩되도록 상기 제2 전극층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 전류 차단층을 포함하며,상기 패드부와의 이격 거리에 따라 상기 전류 차단층의 폭이 다른 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 패드부에 인접할수록 상기 전류 차단층의 폭이 증가하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전극부는,상기 발광 구조물의 가장자리에 배치되는 외부 전극; 및상기 외부 전극 내부에 배치되어 상기 외부 전극과 연결되는 적어도 하나의 내부 전극을 포함하며,상기 패드부는,상기 외부 전극 및 상기 내부 전극 중 적어도 하나에 마련되는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 전극부의 제1 부분에 대응하는 전류 차단층 부분의 폭은 상기 전극부의 제2 부분에 대응하는 전류 차단층의 다른 부분의 폭보다 크며, 여기서 상기 제1 부분은 상기 제2 부분보다 상기 패드부에 더 인접하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 전극부의 적어도 일 부분에 대응하는 전류 차단층의 일 부분의 폭은 상기 패드부에 인접할수록 증가하는 발광 소자
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6
제1항에 있어서, 상기 전류 차단층은 상기 전극부에 대응하여 오버랩 부분과 비오버랩 부분을 포함하며,상기 패드부와의 이격 거리에 따라 상기 전류 차단층의 비오버랩 부분의 폭이 다른 발광 소자
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제6항에 있어서, 상기 전극부의 적어도 일 부분에 대응하는 전류 차단층의 비오버랩 부분의 폭은 상기 패드부에 인접할수록 증가하는 발광 소자
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8
제6항에 있어서,상기 전극부의 제1 부분에 대응하는 전류 차단층의 비오버랩 부분의 폭은 상기 전극부의 제2 부분에 대응하는 전류 차단층의 다른 비오버랩 부분의 폭보다 크며, 여기서 상기 제1 부분은 상기 제2 부분보다 상기 패드부에 더 인접하는 발광 소자
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기판;제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며, 상기 기판 상에 배치되는 발광 구조물;상기 발광 구조물 상의 전도층;패드부 및 상기 패드부로부터 확장되는 적어도 하나의 확장 전극부를 포함하며, 상기 전도층 상에 배치되는 전극층; 및상기 전극층에 대응하여 적어도 일부가 오버랩되도록 상기 전도층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 전류 차단층을 포함하며,상기 적어도 하나의 확장 전극부에 대응하는 전류 차단층의 폭은 상기 패드부와의 이격 거리에 따라 다른 발광 소자
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10
제9항에 있어서, 상기 적어도 하나의 확장 전극부에 대응하는 전류 차단층 부분의 폭은 상기 패드부에 인접할수록 증가하는 발광 소자
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