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태양 전지

  • 기술번호 : KST2015062855
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양 전지에 관한 것이다본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 제 1 도전성 타입의 결정질 반도체 기판; 결정질 반도체 기판의 제 1 면에 형성되며, 제 1 도전성 타입과 같은 극성을 갖는 비정질 실리콘층인 전면 전계부; 및 결정질 반도체 기판의 제 2 면에 형성되며, 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입을 갖는 에미터부;를 포함하며, 전면 전계부의 두께는 7.5nm ~ 20nm이고, 전면 전계부의 두께가 7.5nm ~ 10nm인 경우, 전면 전계부의 밴드갭(Band Gap)은 1.65eV ~ 1.95eV이고, 전면 전계부의 두께가 10nm ~ 15nm인 경우, 전면 전계부의 밴드갭은 1.71eV ~ 1.95eV이고, 전면 전계부의 두께가 15nm ~ 20nm인 경우, 전면 전계부의 밴드갭은 1.81eV ~ 1.95eV이다.
Int. CL H01L 31/068 (2006.01) H01L 31/0216 (2014.01)
CPC H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01)
출원번호/일자 1020100099636 (2010.10.13)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1692559-0000 (2016.12.28)
공개번호/일자 10-2012-0088023 (2012.08.08) 문서열기
공고번호/일자 (20170103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.14)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신호정 대한민국 서울특별시 서초구
2 최정훈 대한민국 서울특별시 서초구
3 어영주 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0660025-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0788909-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0292538-68
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0502509-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0502520-16
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0768019-60
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 도전성 타입의 결정질 반도체 기판;상기 결정질 반도체 기판의 제 1 면에 형성되며, 상기 제 1 도전성 타입과 같은 극성을 갖는 비정질 실리콘층으로 이루어지고, 상기 반도체 기판과 이종 접합을 형성하는 전면 전계부; 및상기 결정질 반도체 기판의 제 2 면에 형성되며, 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입을 갖는 에미터부;를 포함하며,상기 전면 전계부의 두께는 7
2 2
제 1 항에 있어서,상기 태양 전지는상기 결정질 반도체 기판과 상기 전면 전계부 사이에 진성 실리콘층인 버퍼층을 더 포함하며, 상기 버퍼층은 상기 결정질 반도체 기판과 이종 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
3 3
제 2 항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 2nm ~ 5nm인 것을 특징으로 하는 태양 전지
4 4
제 3 항에 있어서,상기 버퍼층의 두께가 2nm ~ 3nm인 경우, 상기 버퍼층의 밴드갭은 1
5 5
제 2 항에 있어서,상기 전면 전계부와 상기 버퍼층 두께의 합은 9
6 6
제 5 항에 있어서,상기 버퍼층의 두께 대비 상기 전면 전계부의 두께에 대한 비는 1: 1
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 2 도전성 타입을 갖는 에미터부는 비정질 실리콘층으로 이루어지며, 상기 반도체 기판과 이종 접합 및 p-n 접합을 형성하는 태양 전지
8 8
제 1 항에 있어서,상기 태양 전지는상기 결정질 반도체 기판의 제 2 면에 형성되며, 상기 에미터부와 이격하여 위치하고, 상기 제 1 도전성 타입과 같은 극성을 갖는 비정질 실리콘층으로 이루어져 상기 반도체 기판과 이종 접합을 형성하는 후면 전계부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
9 9
제 8 항에 있어서,상기 태양 전지는상기 결정질 반도체 기판과 상기 에미터부 사이 및 상기 결정질 반도체 기판과 상기 후면 전계부 사이에 진성 비정질 실리콘층으로 이루어진 후면 보호부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
10 10
제 9 항에 있어서,상기 태양 전지는상기 에미터부 상부에 형성되어 상기 에미터부와 연결되는 제 1 전극; 및상기 후면 전계부 상부에 형성되어 상기 후면 전계부와 연결되는 제 2 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.