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접착제 없이 직접 형성된 절연막을 포함하는 광 패키지 및 절연막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015062884
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 패키지의 절연막 형성 방법에 있어서, (A) 금속층 상에 절연물질의 분말을 고속의 분사법으로 도포하는 단계 (B) 상기 도포된 절연물질의 분말을 300 ℃이하의 상온 및 저온에서 열처리하는 단계를 포함하는 광 패키지의 절연막 형성 방법에 관한 것이다. 이에 의해 상온 및 저온에서 기판이 제조되도록 하여 기판의 치수 정밀도를 향상시키고, 휨 현상, 세라믹 지지층의 균열을 방지하여 광 패키지 기판의 신뢰성을 향상시킬 뿐 아니라 동박을 지지층으로 공정을 진행할 수 있게 됨으로써 대면적 기판을 구현시킬 수 있게 된다.
Int. CL H01L 33/44 (2014.01)
CPC H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01)
출원번호/일자 1020100101358 (2010.10.18)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1211706-0000 (2012.12.06)
공개번호/일자 10-2012-0039908 (2012.04.26) 문서열기
공고번호/일자 (20121212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.18)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상복 대한민국 서울특별시 중구
2 이건천 대한민국 서울특별시 중구
3 백지흠 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0670781-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0082347-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0677568-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0055435-21
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0055434-86
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0431522-62
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0699495-87
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.08.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0699494-31
10 보정요구서
Request for Amendment
2012.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0112128-84
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2012.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0718625-17
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0562591-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광 패키지의 절연막 형성 방법에 있어서,(A) 동박층 상에 절연물질의 분말을 고속의 분사법으로 도포하는 단계;(B) 상기 도포된 절연물질을 300 ℃이하의 저온에서 열처리하는 단계;를 포함하는 광 패키지의 절연막 형성 방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 절연물질은 세라믹 분말인 광 패키지의 절연막 형성 방법
4 4
광 패키지의 절연막 형성 방법에 있어서,(A) 동박층 상에 절연물질의 페이스트를 스크린 인쇄법을 이용하여 절연막을 증착하는 단계;(B) 상기 증착된 절연막을 180 내지 450 ℃의 저온에서 열처리하는 단계;를 포함하는 광패키지의 절연막 형성 방법
5 5
삭제
6 6
청구항 4에 있어서,절연물질의 페이스트는 세라믹과 에폭시의 혼합물인 광 패키지의 절연막 형성 방법
7 7
광 패키지의 절연막 형성 방법에 있어서,(A) 동박층 상에 절연물질의 다공 기재를 형성하는 단계;(B) 상기 동박층에 다수의 미세홀을 형성하여 진공탈기하는 단계;(C) 유기물을 도포하여 상기 다공 기재 내부에 함침하는 단계;(D) 180 내지 450 ℃의 저온에서 열처리하는 단계;를 포함하는 광 패키지의 절연막 형성 방법
8 8
삭제
9 9
청구항 7에 있어서,상기 절연물질은 세라믹인 광 패키지의 절연막 형성 방법
10 10
광 패키지에 있어서,동박층 및절연물질을 고속 분사법, 스크린 인쇄법 또는 다공체 형성 후 진공에 의한 유기물 함침을 통해 상기 동박층 상에 직접 형성되는 절연막을 포함하되,상기 절연막은 180 내지 450℃의 저온에서 열처리하는 접착제 없이 직접 형성된 절연막을 포함하는 광 패키지
11 11
삭제
12 12
청구항 10에 있어서,상기 절연물질은 세라믹을 포함하는 접착제 없이 직접 형성된 절연막을 포함하는 광 패키지
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.