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절연필름상에 스프로켓홀과 입출력단자패턴을 포함하는 회로패턴을 형성하는 1단계;상기 절연필름의 전자소자칩 실장영역에 적어도 1 이상의 방열홀을 펀칭 공정을 통해 형성하는 2단계;상기 회로패턴 면의 일부에 전자소자칩을 실장하고 몰딩하는 3단계;상기 방열홀 내부를 금속물질로 충진시켜 방열부재를 형성하는 4단계;를 포함하며, 상기 4단계는 상기 방열홀의 내부에 스크린마스크(M)를 매개로 금속페이스트를 도포하는 공정과,스퀴즈를 통해 상기 방열홀 내부로 상기 금속물질을 삽입시키는 공정을 포함하는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 1단계는,a 1) 절연성 필름에 스프로켓홀을 형성하는 펀칭 단계;a 2) 절연성 필름의 표면활성화처리 후, 포토리소그라피를 통해 회로패턴을형성하는 단계;를 포함하여 수행되는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지의 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 a 2)단계에서 형성된 회로패턴 면에 Cu, Ni, Pd, Au, Sn, Ag, Co 중 어느 하나 또는 이들의 이원 또는 삼원 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 도금처리층을 형성하는 표면처리하는 공정을 더 포함하는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지의 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 3단계는, 상기 전자소자칩과 본딩되는 부분 이외의 회로패턴에 솔더레지스트층을 형성하는 공정을 더 포함하는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지의 제조방법
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청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 4단계는,금속페이스트를 상기 방열홀 내부로 충진시키는 단계인 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지의 제조방법
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활성 면에 적어도 1 이상이 형성되는 입/출력연결부를 구비하는 전자소자칩;상기 입/출력연결부에 대응되는 입출력단자패턴인 회로패턴을 구비하는 탭 테이프(TAB Tape);상기 전자소자칩의 실장영역에 대응되는 탭테이프에 적어도 1 이상의 방열 홀;상기 방열홀에 충진되는 금속물질로 형성되는 방열부재;를 포함하며, 상기 방열홀은 상기 탭테이프에 펀칭 공정을 통해 형성되며,상기 방열부재는 상기 방열홀의 내부에 스크린마스크(M)를 매개로 금속페이스트를 도포하고, 스퀴즈를 통해 상기 방열홀 내부로 상기 금속물질을 삽입시키는 공정을 통해 형성되는 특징으로 하는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지
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청구항 6에 있어서,상기 방열부재는,상기 방열홀 내부에 충진되는 다수의 방열블럭으로 형성되는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지
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청구항 7에 있어서,상기 방열부재는,상기 방열블럭을 지지하며, 상기 전자소자칩의 실장영역에 대응되는 위치의 텝테이프 하면에 형성되는 방열플레이트를 더 포함하여 구성되는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지
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청구항 7 또는 8에 있어서,상기 방열부재는,은(Ag), Ag/Pd합금을 이용하거나, 은(Ag), 크롬(Cr), 은과 크롬의 혼합물, 구리(Cu), 주석(Sn), 베릴륨(Be), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 코발트(Co), 금(Au) 중 어느 하나 또는 이들의 이원 또는 삼원 합금으로 형성되는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지
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청구항 9에 있어서,상기 회로패턴 상에는 Cu, Ni, Pd, Au, Sn, Ag, Co 중 어느 하나 또는 이들의 이원 또는 삼원 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 도금처리층을 더 포함하는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지
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청구항 9에 있어서,상기 전자소자칩과 본딩되는 부분 이외의 회로패턴에는 솔더레지스트로 형성되는 보호층을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지
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청구항 9에 있어서,상기 전자소자칩과 텝테이프의 이격공간 및 칩 주변이 몰딩재로 충진된 것을 특징으로 하는 칩 온 필름(Chip On Flim) 패키지
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청구항 12에 있어서,상기 몰딩재는 에폭시수지 및 경화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 온필름(Chip On Flim) 패키지
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청구항 6에 있어서, 상기 금속페이스트는 전도성 세라믹재로 형성되는 것을 특징으로 하는 칩 온필름(Chip On Flim) 패키지
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청구항 6에 있어서, 상기 금속페이스트는 몰리브데늄(Mo) 44 - 68 중량 %, 텅스텐(W) 12 - 36 중량 %, 망간(Mn) 3 - 15 중량 %, 산화규소(SiO2) 3- 15 중량 %, 및 산화티탄(TiO2) 0
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