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클러스터 형상 알루미늄 도핑 산화아연 입자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015062972
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소사슬의 길이가 2 이상인 유기 용매를 이용하여 가시광에 대한 높은 투명성은 유지한 채로, 자외선과 적외선(열선)의 차폐 성능을 향상시킨 전도성 산화아연을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 가시광 영역에서는 75%이상 투과성을 유지하면서 자외선 90%, 적외선 85% 이상을 차폐하는 특성을 나타내는 전도성 산화아연 나노입자이다.
Int. CL H01B 1/08 (2006.01) C01G 9/00 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020100101753 (2010.10.19)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1306663-0000 (2013.09.04)
공개번호/일자 10-2012-0040378 (2012.04.27) 문서열기
공고번호/일자 (20130910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현종 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한명근 미국 경기도 용인시 수지구
3 신치호 대한민국 경기도 안양시 만안구
4 손성호 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0673798-38
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0849444-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0075983-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0351118-75
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0665917-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0665916-77
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0785390-89
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0166789-83
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0253935-72
14 보정요구서
Request for Amendment
2013.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0036627-28
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0360851-12
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0360849-20
17 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0299555-92
18 등록결정서
Decision to grant
2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0595254-66
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 수용성 폴리올 용매를 이용하여 알루미늄 전구체와 산화아연 전구체를 반응시켜 알루미늄 도핑 산화아연 입자를 합성하는 단계;(b) 합성된 알루미늄 도핑 산화아연 입자를 여과하는 단계;(c) 여과된 알루미늄 도핑 산화아연 입자를 세척하는 단계; 및(d) 세척한 알루미늄 도핑 산화아연 입자를 건조하는 단계;를 포함하며,상기 (a) 단계의 합성을 대기압보다 높은 분위기에서 수행하며,상기 알루미늄 도핑 산화아연 입자는 수십 나노미터 크기 이하의 다수 개의 산화아연 나노입자가 응집된 클러스터 형상으로 이루어지고,상기 알루미늄 도핑 산화아연 입자의 알루미늄 도핑량은 0
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는 오토클레이브에서 수행되는 것을 특징으로 하는 클러스터 형상의 알루미늄 도핑 산화아연 입자의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계의 반응압력은 1 psig 이상인 것을 특징으로 하는 클러스터 형상의 알루미늄 도핑 산화아연 입자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 수용성 폴리올 용매는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 또는 트리에틸렌글리콜 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 클러스터 형상의 알루미늄 도핑 산화아연 입자의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 전구체는 AlCl3H2O인 것을 특징으로 하는 클러스터 형상의 알루미늄 도핑 산화아연 입자의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 산화아연 전구체는 Zn(CH3COO)2H2O인 것을 특징으로 하는 클러스터 형상의 알루미늄 도핑 산화아연 입자의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는 120 ~ 190℃에서 5 ~ 24시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 클러스터 형상의 알루미늄 도핑 산화아연 입자의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 도핑 산화아연 나노 클러스터의 알루미늄 도핑량은 0
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 알루미늄 도핑 산화아연 나노 클러스터의 크기는 5nm ~ 350nm 인 것을 특징으로 하는 클러스터 형상의 알루미늄 도핑 산화아연 입자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.