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태양 전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015062984
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 기판에 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극층 위에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층의 산소 함유량을 감소시키도록 열처리하는 단계; 및 상기 버퍼층 위에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100099001 (2010.10.11)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1181095-0000 (2012.09.03)
공개번호/일자 10-2012-0037320 (2012.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배도원 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0656270-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0069927-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0006628-45
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0176134-43
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0176135-99
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0448461-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 위에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층의 산소 함유량을 감소시키도록 열처리하는 단계; 및상기 버퍼층 위에 제2 전극층을 형성하는 단계 를 포함하고,상기 열처리하는 단계는 진공 또는 수소 분위기 하에서 수행되는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 급속 어닐링(rapid thermal annealing, RTA) 공정에 의해 수행되는 태양 전지의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계의 열처리 온도가 250 내지 400℃인 태양 전지의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계에 의해 열처리된 버퍼층의 산소 함유량이 2 내지 5 at%인 태양 전지의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 열처리하는 단계 이전에 상기 버퍼층의 산소 함유량이 6 at% 이상인 태양 전지의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계에서는 화학 용액 성장법(chemical bath depositon, CBD)에 의해 상기 버퍼층을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 버퍼층이 황화 카드뮴(CdS) 또는 황화 아연(ZnS)을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
9 9
기판;상기 기판 위에 위치하는 제1 전극층;상기 제1 전극층 위에 위치하는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 위에 위치하며, 산소 함유량이 2 내지 5 at%인 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 위치하는 제2 전극층을 포함하고,상기 버퍼층은 진공 또는 수소 분위기 하에서 형성된 태양 전지
10 10
제9항에 있어서,상기 버퍼층이 황화 카드뮴(CdS) 또는 황화 아연(ZnS)을 포함하는 태양 전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103098233 CN 중국 FAMILY
2 EP02506313 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02506313 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05881717 JP 일본 FAMILY
5 JP25539242 JP 일본 FAMILY
6 WO2012050280 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103098233 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103098233 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2506313 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2506313 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2013539242 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5881717 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 WO2012050280 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.