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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015063044
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 다수 개의 비드들; 상기 비드들을 덮는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01)
출원번호/일자 1020100109455 (2010.11.04)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1144438-0000 (2012.05.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.04)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진우 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0721893-38
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0446177-18
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0775563-10
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0775562-75
5 등록결정서
Decision to grant
2012.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0146849-78
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치되는 다수 개의 비드들;상기 비드들을 덮는 후면전극층;상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고,상기 후면전극층은 상기 비드들에 각각 대응하는 다수 개의 제 1 돌기들을 포함하는 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 비드들은 구 형상을 가지는 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 비드들의 직경은 1㎛ 내지 2㎛인 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 제 1 돌기들에 각각 대응하는 다수 개의 제 2 돌기들을 포함하고,상기 전면전극층은 상기 제 2 돌기들에 각각 대응하는 다수 개의 제 3 돌기들을 포함하는 태양전지
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 비드들은 유리, 실리콘, 폴리스티렌, 은 또는 구리를 포함하는 태양전지
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 비드들 사이의 거리는 1㎛ 내지 2㎛인 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 비드들은 상기 기판의 상면의 면적에 대하여 10% 내지 20%의 면적을 차지하도록 배치되는 태양전지
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 비드들은 나트륨을 포함하는 태양전지
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 비드들은 소다 라임 글래스를 포함하는 태양전지
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 비드들은 도전체인 태양전지
12 12
기판 상에 다수 개의 비드들을 배치시키는 단계;상기 비드들 및 상기 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 후면전극층은 상기 비드들에 각각 대응하는 다수 개의 제 1 돌기들을 포함하는 태양전지의 제조방법
13 13
기판 상에 다수 개의 비드들을 배치시키는 단계;상기 비드들 및 상기 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 후면전극층을 형성하는 단계는,상기 비드들 및 상기 기판 상에 투명한 도전 물질을 상기 기판에 대하여 경사증착하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
14 14
기판 상에 다수 개의 비드들을 배치시키는 단계;상기 비드들 및 상기 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 비드들을 상기 기판에 합착시키는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 비드들 및 상기 기판을 합착시키는 단계는,상기 비드들 및 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.