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기판의 제 1 영역에 마스킹 지그(Masking jig)를 형성하는 단계;상기 기판의 제 2 영역에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 기판의 제 2 영역에 형성된 제 1 전극 상부에 광을 입사받아 전력을 생산하는 광전 변환부를 형성하는 단계; 및상기 기판의 제 2 영역에 형성된 광전 변환부 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 제 1 영역은 상기 기판의 가장 자리에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 제 2 영역에는 상기 제 1 전극, 상기 광전 변환부, 및 상기 제 2 전극을 포함하는 복수의 셀들이 배치되고,상기 기판의 제 1 영역에는 상기 복수의 셀들이 배치되지 않는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역의 폭은 3㎜ 이상 30㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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상기 제 1 영역의 폭은 8㎜ 이상 20㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 마스킹 지그에서 상기 기판과 중첩하여 접하는 부분의 하부폭이 상기 기판과 접하지 않고 상기 기판과 중첩되는 부분의 상부폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 영역의 폭은 상기 마스킹 지그에서 상기 기판과 중첩되는 부분의 상부폭보다 좁고 상기 기판과 중첩하여 접하는 부분의 하부폭보다 큰 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 태양 전지의 제조 방법은상기 제 1 전극, 상기 광전 변환부, 및 상기 제 2 전극의 동일한 부분을 제거하여 기판의 일부를 노출시키는 에지 분리(Edge isolation) 단계 또는 에지 제거(Edge deletion) 단계가 생략되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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기판;상기 기판에 배치되는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상부에 배치되는 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되며, 광을 입사받아 전기로 변환하는 광전 변환부를 포함하는 복수의 셀들을 포함하며,상기 기판은 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하고,상기 제 1 영역에는 상기 복수의 셀들이 배치되지 않고, 상기 제 2 영역에는 상기 복수의 셀들이 배치되며, 상기 복수의 셀들 중에는 전력을 생산하는데 영향을 미치지 못하는 더미 셀이 포함되지 않는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 영역은 상기 기판의 가장 자리에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 영역의 폭은 3㎜ 이상 30㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 영역의 폭은 8㎜ 이상 20㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 9 항에 있어서,상기 광전 변환부는P형 반도체층, 진성(i) 반도체층, 및 n형 반도체층인 p-i-n 구조가 적어도 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 13 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 게르마늄(Ge)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 13 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 비정질 실리콘(a-si) 또는 미세 결정 실리콘(mc-si) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 영역에 배치되는 복수의 셀들 중 상기 제 1 영역과 가장 인접하여 배치되는 최외곽 셀은 상기 제 1 영역으로 근접할수록 상기 제 1 전극, 상기 광전 변환부 또는 상기 제 2 전극 중 적어도 하나의 두께가 감소하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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