| 1 |
1
제1기판상에 적어도 1 이상의 제1격자 패턴을 구비한 제1격자층;상기 제1격자 패턴의 상부에 금속재질로 형성되는 제2격자 패턴을 적어도 1 이상 구비하는 제2격자층;상기 제2격자층 상에 적층되어 외부에서 유입되는 빛을 흡수하는 광흡수층;상기 광흡수층상에 형성되는 터치용전극을 구비한 제2기판;을 포함하되,상기 광흡수층은,상기 제2격자 패턴 상부에 형성되는 제1흡수형격자패턴;상기 제1흡수형격자패턴 상에 형성되는 금속재질의 제3격자패턴;상기 제3격자패턴 상에 형성되는 제2흡수형격자층;을 구비하는 구조로 이루어진 와이어그리드편광자 일체형 터치패널
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1기판상에 적어도 1 이상의 제1격자 패턴을 구비한 제1격자층;상기 제1격자 패턴의 상부에 금속재질로 형성되는 제2격자 패턴을 적어도 1 이상 구비하는 제2격자층;상기 제2격자층 상에 적층되어 외부에서 유입되는 빛을 흡수하는 광흡수층;상기 제1격자층이 형성된 상기 제1기판의 이면에 형성되는 터치용전극;을 포함하되,상기 광흡수층은,상기 제2격자 패턴 상부에 형성되는 제1흡수형격자패턴;상기 제1흡수형격자패턴 상에 형성되는 금속재질의 제3격자패턴;상기 제3격자패턴 상에 형성되는 제2흡수형격자층;을 구비하는 구조로 이루어진 와이어그리드편광자 일체형 터치패널
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
청구항 1 또는 4에 있어서,상기 광흡수층을 구성하는 제1흡수형격자패턴 또는 제2흡수형격자층은,투명한 재질의 금속산화물을 이용하여 구성되는 와이어그리드편광자 일체형 터치패널
|
| 7 |
7
청구항 6에 있어서,상기 제1흡수형격자패턴의 두께는 50nm~300nm, 상기 제3격자패턴의 두께는 1nm~20nm인 와이어그리드편광자 일체형 터치패널
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 제2흡수형격자층은 50nm~500nm의 범위의 두께로 형성되는 와이어그리드편광자 일체형 터치패널
|
| 9 |
9
청구항 6에 있어서,상기 제1격자층은 상기 제1기판과 굴절지수가 동일한 고분자물질로 형성되는 와이어그리드편광자 일체형 터치패널
|
| 10 |
10
청구항 6에 있어서,상기 제2격자층 또는 상기 제3격자패턴은,알루미늄, 크롬, 은, 구리, 니켈, 코발트 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 형성되는 와이어그리드편광자 일체형 터치패널
|
| 11 |
11
청구항 6에 있어서,상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율이 1:(0
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서,상기 제1격자패턴의 폭과 상기 제2격자패턴의 폭의 비율은 1:(0
|
| 13 |
13
청구항 11에 있어서,상기 제1격자패턴의 폭은 10nm~200nm, 높이는 10nm~500nm의 범위를 만족하는 와이어그리드편광자 일체형 터치패널
|
| 14 |
14
청구항 13에 있어서,상기 제2격자패턴의 폭은 25nm~200nm인 와이어그리드편광자 일체형 터치패널
|
| 15 |
15
청구항 6에 있어서,상기 제1격자패턴의 주기는 50nm~400nm인 와이어그리드편광자 일체형 터치패널
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
삭제
|
| 20 |
20
광원에서 발산되는 상부로 발산하는 백라이트 유닛; 상기 백라이트 유닛 상부에 적층되어, 화소를 형성하는 액정 패널; 상기 액정패널의 상부 또는 하부에 배치되는 청구항 1 또는 4의 와이어그리드편광자 일체형 터치패널;을 포함하는 액정표시장치
|
