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도전성 기판;상기 기판 상에 위치하는 p-형 전극;상기 p-형 전극 상에 위치하는 p-형 질화물 반도체층;상기 p-형 질화물 반도체층 상에 위치하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하는 n-형 질화물 반도체층;상기 n-형 질화물 반도체층 내에 위치하는 전류 분산층; 및상기 n-형 질화물 반도체층 상에 위치하는 n-형 전극;상기 n-형 질화물 반도체층과 상기 n-형 전극 사이에 위치하며, 상기 n-형 질화물 반도체층을 덮는 투명 전극층을 포함하여 구성되고,상기 전류 분산층은, 상기 p-형 전극과 n-형 전극 사이의 전류 흐름 경로 상에 다수 구비되고, 상기 다수의 전류 분산층은, 상기 p-형 전극과 n-형 전극 사이에 수직 방향으로 서로 이격되어 위치하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 전류 분산층은, 절연화된 반도체층인 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 3항에 있어서, 상기 절연화된 반도체층은, n-형 도펀트 및 p-형 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 전류 분산층의 두께는 10 nm 이상이고 상기 n-형 질화물 반도체층의 두께 이하인 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 전류 분산층의 면적은 상기 n-형 전극의 면적보다 넓은 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 투명 전극층은 ITO 또는 ZnO를 포함하는 투명 전도성 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 전류 분산층은, 상기 투명 전극층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 다수의 전류 분산층은, 상기 p-형 전극과 n-형 전극 사이에 수평 방향으로 서로 이격되어 위치하는 전류 분산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 전류 분산층은, 상기 n-형 전극의 하측에 위치하는 절연층과;상기 절연층의 주변 영역에 위치하는 n-형 질화물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 도전성 기판은 금속 또는 반도체인 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 p-형 전극은 반사성 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 전류 분산층은, 상기 n-형 전극과 이격되어 위치하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자
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