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기판;상기 기판에 배치되는 전면 전극;상기 전면 전극 상부에 배치되는 후면 전극;상기 전면 전극과 상기 후면 전극 사이에 배치되며, 광을 입사받아 전기로 변환하는 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 및 상기 후면 전극 사이에 배치되며, 광을 반사하는 도전성의 후면 반사층;을 포함하며,상기 후면 반사층은 금속성의 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 후면 반사층의 나노 입자는 타원 형상을 지닌 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,나노 입자의 장축 방향은 상기 기판의 입사면과 나란하게 배열된 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 나노 입자 장축의 길이는 20nm 이상 200nm 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 나노 입자 단축의 길이는 5nm 이상 30nm 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 나노 입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 후면 반사층은 도전성의 투명 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 후면 반사층은 아연산화물(ZnOx), 주석산화물(SnOx), 인듐산화물(InOx), 또는 실리콘산화물(SiOx) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 후면 반사층의 두께는 80nm 이상 120nm 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 후면 반사층에서 상기 광전 변환부와 접하는 면은 텍스쳐링(Texturing) 되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 P형 반도체층, 진성(i) 반도체층, 및 n형 반도체층을 포함하는 p-i-n 구조가 적어도 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 게르마늄(Ge)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 비정질 실리콘(a-si) 또는 미세 결정 실리콘(mc-si) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 후면 전극은 적어도 하나 이상의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 후면 전극은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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