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삼염화실란의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015063413
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 삼염화실란(trichlorosilane, 이하, TCS)의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자급 혹은 태양전지급 실리콘(silicon) 생산을 위한 삼염화실란(TCS)의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 실시 예에 따른 삼염화실란의 제조 방법은, 반응기에 사염화실란과 수소를 공급하는 단계; 및 상기 사염화실란과 상기 수소가 반응하는 동안에 모노실란, 일염화실란 및 이염화실란 중 어느 하나를 상기 반응기 내로 공급하는 단계를 포함하는데, 일정량의 실리콘이 증착된 활성화된 촉매를 사용함으로써 삼염화실란(TCS)을 더욱 효율적으로 생산할 수 있다.
Int. CL B01J 21/18 (2006.01) B01J 12/00 (2006.01) C01B 33/107 (2006.01) B01J 8/02 (2006.01)
CPC C01B 33/10742(2013.01) C01B 33/10742(2013.01) C01B 33/10742(2013.01) C01B 33/10742(2013.01)
출원번호/일자 1020100114780 (2010.11.18)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1242437-0000 (2013.03.06)
공개번호/일자 10-2012-0053590 (2012.05.29) 문서열기
공고번호/일자 (20130312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원춘 대한민국 대전광역시 유성구
2 박용기 대한민국 대전광역시 유성구
3 김희영 대한민국 대전광역시 유성구
4 이주영 대한민국 서울특별시 동대문구
5 윤경구 대한민국 대전광역시 유성구
6 양오봉 대한민국 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0753171-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0084047-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0461983-33
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0802445-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0802444-54
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0143279-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1
반응기에 사염화실란과 수소를 공급하는 단계;상기 사염화실란과 상기 수소가 반응하는 동안에 모노실란, 일염화실란 및 이염화실란 중 어느 하나를 상기 반응기 내로 공급하는 단계; 및상기 반응기에 상기 사염화실란과 상기 수소를 공급하기 전에 상기 반응기 내부에 촉매를 충진시키는 단계;를 포함하고,상기 촉매는 소정의 실리콘을 포함한 탄소인, 삼염화실란의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 모노실란, 상기 일염화실란 및 상기 이염화실란 중 어느 하나의 공급을 시간간격을 두고 반복적으로 수행하는 삼염화실란의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 소정의 실리콘의 함량은 0
6 6
반응기에 사염화실란과 수소를 공급하는 제1 단계; 상기 사염화실란과 상기 수소가 반응하는 동안 상기 반응기 내에 실리콘이 생성되는 제2 단계; 상기 사염화실란과 상기 수소가 반응하는 동안에 모노실란, 일염화실란 및 이염화실란 중 어느 하나를 상기 반응기 내로 공급하여 상기 실리콘의 양이 증가되는 제3 단계; 및상기 제3 단계가 진행되는 동안에 상기 반응기 내로의 상기 모노실란, 상기 일염화실란 및 상기 이염화실란 중 어느 하나의 공급을 중단하여 상기 실리콘의 양이 감소되는 제4 단계;를 포함하는 삼염화실란의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
제 6 항에 있어서,상기 제4 단계에서 얻어지는 실리콘의 최소양은 상기 제2 단계에서 얻어지는 실리콘의 최대양보다 많은 것을 특징으로 하는 삼염화실란의 제조 방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 모노실란, 상기 일염화실란 및 상기 이염화실란 중 어느 하나의 공급을 시간간격을 두고 반복적으로 수행하는 삼염화실란의 제조 방법
10 10
제 6 항에 있어서,상기 반응기에 상기 사염화실란과 상기 수소를 공급하기 전에 상기 반응기 내부에 촉매를 충진시키는 단계를 더 포함하는 삼염화실란의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 촉매는 소정의 실리콘을 포함한 탄소인 삼염화실란의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 소정의 실리콘의 함량은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.