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기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전도성 반도체층;상기 제1 전도성 반도체층 내에 위치하고, 제1 전도성 도펀트 및 제2 전도성 도펀트가 상기 제1 전도성 반도체층 내에 혼합되어 이루어지는 절연화된 반도체층을 포함하는 전류 분산층;상기 전류 분산층 상에 위치하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하는 제2 전도성 반도체층;상기 제2 전도성 반도체층 상에 위치하는 투명 전극;상기 제1 전도성 반도체층의 상측면이 개구된 개구부에 위치하여, 상기 제1 전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및상기 투명 전극 상에 위치하는 제2 전극을 포함하여 구성되고,상기 전류 분산층은 서로 이격된 다수의 개체를 포함하며, 상기 다수의 개체는, 상기 제1전극에 가까워질수록 면적이 커지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 분산층은, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이의 전류 흐름 경로 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 분산층은, 상기 개구부와 접하여 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극은, ITO 또는 ZnO를 포함하는 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 다수의 개체는, 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제7항에 있어서, 상기 제2 전극은 패턴을 가지며, 상기 전류 분산층의 패턴은 상기 제2 전극의 패턴에 대응되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 분산층의 면적은, 상기 활성층의 면적보다 좁은 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 분산층은, 상기 제1 전극이 위치하는 면과 평행하게 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 분산층의 두께는 10 nm 이상이고 상기 제1 전도성 반도체층의 두께 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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