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절연성필름에 기능성홀영역을 형성하는 1단계;상기 절연성필름 상부에 금속층을 형성하고 회로패턴을 구현하는 2단계;상기 기능성홀영역에 대응되는 회로패턴상에 광소자를 실장하는 3단계;상기 광소자를 매립하는 수지부를 형성하는 4단계;를 포함하는 광패키지 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 1단계는,상기 절연성필름에 광소자의 실장위치에 대응되는 제1홀영역을 기계적 가공으로 형성하는 단계인 광패키지 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 1단계는,상기 제1홀영역 이외에 적어도 1 이상의 제2홀영역을 더 형성하는 단계인 광패키지 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 2단계는,상기 회로패턴을 광소자를 실장하는 칩실장영역과 광소자와 회로패턴을 전기적으로 연결하는 연결영역을 포함하도록 구현하는 단계인 광패키지 제조방법
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5 |
5
청구항 4에 있어서,상기 2단계는,상기 칩실장영역과 분리되는 상기 연결영역을 1 이상 구현하는 단계인 광패키지 제조방법
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6
청구항 4에 있어서,상기 2단계 이후 3단계 전에,상기 회로패턴 상에 레진댐을 형성하는 단계를 더 포함하는 광패키지 제조방법
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7
청구항 6에 있어서,상기 레진댐을 형성하는 단계는,a1) 상기 회로패턴에 도금을 수행하는 단계;a2) 상기 칩실장영역 및 상기 연결영역을 제외한 영역에 솔더레지스트를 도포하여 레진댐을 형성하는 단계인 광패키지 제조방법
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8
청구항 7에 있어서,상기 3단계는,상기 레진댐 내측 영역 내에 광소자를 실장하는 공정으로 구현되는 광패키지 제조방법
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9
청구항 8에 있어서,상기 4단계는,상기 광소자를 포함하는 상기 레진댐 내측 영역을 매립하는 수지부를 형성하는 공정으로 구현되는 광패키지 제조방법
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10
청구항 8에 있어서,상기 3단계는,상기 광소자를 칩실장영역에 실장하고, 상기 연결영역과 와이어본딩 또는 플립칩(Flip chip) 본딩 방식으로 전기적 연결을 수행하는 단계인 광패키지 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 수지부는 형광체 및 투명 레진(Resin)을 포함하는 물질로 볼록렌즈 형상으로 구현하는 광패키지 제조방법
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12
개구된 구조의 기능성홀영역을 구비하는 절연성필름;상기 절연성필름의 상부에 적층되며 회로패턴을 구비한 금속층;상기 기능성홀영역에 대응되는 위치의 상기 금속층상에 실장되는 광소자;상기 광소자를 매립하는 수지부;를 포함하는 광패키지
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13
청구항 12에 있어서,상기 기능성홀영역은,상기 광소자의 실장위치에 대응되는 위치에 형성되는 제1홀영역을 포함하는 광패키지
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14
청구항 13에 있어서,상기 기능성홀영역은,상기 절연성필름에 방열을 위한 제2홀영역을 적어도 1 이상 더 포함하여 구성되는 광패키지
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15
청구항 13에 있어서,상기 회로패턴은,상기 제1홀영역 상부에 형성되는 광소자를 실장하는 칩실장영역과 광소자를 회로패턴과 전기적으로 연결하기 위한 연결영역을 포함하는 광패키지
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16
청구항 15에 있어서,상기 칩실장영역과 분리되는 상기 연결영역을 적어도 1 이상 구비하는 광패키지
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17
청구항 15 또는 16 에 있어서,상기 광소자가 실장되는 금속층에 형성되는 레진댐을 더 구비하는 광패키지
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18
청구항 17에 있어서,상기 레진댐은,상기 칩실장영역과 상기 연결영역을 제외한 영역에 돌출된구조로 형성되는 솔더레지스트패턴인 광패키지
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19
청구항 17에 있어서,상기 수지부는,상기 레진댐 내층영역에 상기 광소자를 매립하는 구조로 형성되는 광패키지
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20
청구항 19에 있어서,상기 수지부는,형광체 및 투명 레진(Resin)을 포함하는 물질로 형성되는 볼록렌즈 형상인 광패키지
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21
청구항 20에 있어서,상기 회로패턴 상에는 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au) 중 적어도 어느 하나의 물질로 구현되는 도금층이 더 구현된 광패키지
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22
청구항 20에 있어서,상기 절연성필름은 폴리이미드필름(polyimide film)인 광패키지
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