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질화물계 반도체 발광 소자에 있어서,제1 전도성 반도체층, 상기 제1 전도상 반도체층 상에 위치하는 활성층, 및 상기 활성층 상에 위치하는 제2 전도성 반도체층을 포함하는 다층 구조의 반도체 구조;상기 제1 전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 제2 전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및상기 반도체 구조 내부의 상기 제1 전극과 제2 전극 사이의 전하의 흐름 경로에 위치하는 절연층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 절연층은, 상기 제1 전도성 반도체층 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 2항에 있어서, 상기 제1 전극은, 상기 제1 전도성 반도체층의 상면이 개구된 개구부에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 3항에 있어서, 상기 절연층은, 상기 개구부에 근접하여 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 3항에 있어서, 상기 절연층은, 상기 개구된 제1 전도성 반도체층의 상면에 접하여 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 2항에 있어서, 상기 반도체 구조는, 절연성 기판 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 6항에 있어서, 상기 절연성 기판에는, 광 추출 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 절연층은, 50 nm 내지 5 ㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 절연층은, 유전체층 또는 공기층인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 절연층은, 상기 제2 전도성 반도체층 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 10항에 있어서, 상기 제1 전극은, 전도성 기판 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 10항에 있어서, 상기 절연층의 면적은, 상기 제2 전극의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 절연층은, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 흐르는 전류를 분산시키기 위한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 반도체 구조를 덮는 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 반도체 구조에는 광 추출 구조가 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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