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질화물 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 질화물 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015063541
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 질화물 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 질화물 반도체 소자의 제조 방법은, 소정의 기판 위에 제1반도체로 이루어진 버퍼층을 성장하고, 2차원 전자가스(2DEG)층의 형성을 위하여, 제2반도체로 이루어지는 제1장벽층을 형성-형성하고자 하는 리세스의 깊이에서 상기 제1장벽층의 성장을 중지함-하고, 게이트 전극이 형성되는 부분에, 산화막층을 형성하고, 상기 제1장벽층과 실질적으로 동일한 재질의 제2장벽층을 상기 리세스의 높이로 성장하고, 상기 산화막층을 제거하고, 상기 리세스의 오목 부위에 상기 게이트 전극을, 상기 리세스의 볼록 부위에 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 오믹접합하여 형성한다. 본 발명에 따르면, 에칭공정을 사용하지 않고 성장을 이용하여 소자를 제작하므로, 수 nm의 제어가 가능하다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01) H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/737(2013.01) H01L 29/737(2013.01) H01L 29/737(2013.01)
출원번호/일자 1020100121733 (2010.12.02)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0060303 (2012.06.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 음영신 대한민국 서울특별시 영등포구
2 장태훈 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0793722-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0564583-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0385888-81
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0732133-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0732122-31
7 보정요구서
Request for Amendment
2016.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0118640-27
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2016.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0766001-56
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0609346-45
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0920404-11
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.09.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0920421-98
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0720590-06
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
소정의 기판 위에 제1반도체로 이루어진 버퍼층을 성장하는 단계;2차원 전자가스(2DEG)층의 형성을 위하여, 제2반도체로 이루어지는 제1장벽층을 형성-형성하고자 하는 리세스의 깊이에서 상기 제1장벽층의 성장을 중지함-하는 단계;게이트 전극이 형성되는 부분에, 산화막층을 형성하는 단계;상기 제1장벽층과 실질적으로 동일한 재질의 제2장벽층을 상기 리세스의 높이로 성장하는 단계;상기 산화막층을 제거하는 단계;상기 리세스의 오목 부위에 상기 게이트 전극을, 상기 리세스의 볼록 부위에 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 오믹접합하여 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2장벽층의 상부에, 누설전류의 감소를 위한 캐핑층을 성장하는 단계를 더 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1반도체는 질화갈륨(GaN)이고, 상기 제2반도체는 알루미늄 질화 갈륨(AlGaN)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 버퍼층, 상기 제1장벽층, 상기 제2장벽층 및 상기 캐핑층은, 유기금속 기상증착(MOCVD)에 의해 성장하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제1항 내지 제4항의 제조 방법에 의해 제조된 질화물 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20130248878 US 미국 FAMILY
2 WO2012074228 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2012074228 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013248878 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2012074228 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2012074228 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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