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기판;상기 기판의 상부에 배치되는 전면 전극; 상기 전면 전극 상부에 배치되는 후면 전극; 및 상기 전면 전극과 상기 후면 전극 사이에 배치되며, 제 1 타입의 불순물이 도핑된 p형 반도체층, 상기 제 1 타입과 반대인 제 2 타입의 불순물이 도핑된 n형 반도체층, 및 상기 p형 반도체층과 상기 n형 반도체층 사이에 배치되는 진성(i) 반도체층을 포함하는 광전 변환부;를 포함하며,상기 광전 변환부는 상기 p형 반도체층과 상기 전면 전극 사이 배치되며 전기 전도도가 상기 p형 반도체층의 전기 전도도보다 높은 상기 p+형 반도체층; 및 상기 p형 반도체층과 상기 진성 반도체층 사이 배치되며 상기 p형 반도체층의 전기 전도도보다 전기 전도도가 낮은 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 p+형 반도체층, 상기 p형 반도체층 및 상기 버퍼층은 상기 제 1 타입의 불순물로 붕소(Boron, B)가 도핑된 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 버퍼층에 도핑되는 붕소의 함유량은 상기 p형 반도체층에 도핑되는 붕소의 함유량보다 낮은 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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4
제 3 항에 있어서,상기 p형 반도체층 및 상기 버퍼층은 탄소(C)를 함유하되, 상기 p형 반도체층의 탄소(C) 함유량은 상기 버퍼층의 탄소(C) 함유량보다 높은 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 4 항에 있어서,상기 p+형 반도체층은 미세 결정질 실리콘 물질(mc-Si)을 함유하며, 상기 p형 반도체층과 상기 버퍼층은 비정질 실리콘(a-Si) 물질에 탄소(C)가 결합된 비정질 실리콘카바이드(a-SiC) 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 5 항에 있어서,상기 p+형 반도체층에 도핑되는 붕소의 함유량은 상기 p형 반도체층에 도핑되는 붕소의 함유량보다 낮고, 상기 버퍼층에 함유되는 붕소의 함유량보다 높은 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 5 항에 있어서,상기 p+형 반도체층은 탄소(C)를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 5 항에 있어서,상기 p+형 반도체층의 실리콘(Si) 함유량은 상기 p형 반도체층 및 상기 버퍼층의 실리콘(Si) 함유량보다 높고, 상기 p형 반도체층의 실리콘(Si) 함유량은 상기 버퍼층의 실리콘(Si) 함유량보다 낮은 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 5 항에 있어서,상기 p형 반도체층의 탄소(C) 대비 실리콘(Si) 함유량은 3at% 이상 30at% 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 5 항에 있어서,상기 버퍼층의 탄소(C) 대비 실리콘(Si) 함유량은 1at% 이상 15at% 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 4 항에 있어서,상기 p+형 반도체층, 상기 p형 반도체층 및 상기 버퍼층은 비정질 실리콘(a-Si) 물질에 탄소(C)가 결합된 비정질 실리콘카바이드(a-SiC) 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 11 항에 있어서,상기 p+형 반도체층에 도핑되는 붕소의 함유량은 상기 p형 반도체층에 도핑되는 붕소의 함유량보다 높은 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 11 항에 있어서,상기 p+형 반도체층은 탄소(C)를 함유하되, p+형 반도체층의 탄소(C) 함유량은 상기 p형 반도체층의 탄소(C) 함유량보다 낮고, 상기 버퍼층의 탄소(C) 함유량보다 높은 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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14
제 1 항에 있어서,상기 p형 반도체층의 실리콘(Si) 함유량은 상기 p+형 반도체층 및 상기 버퍼층의 실리콘(Si) 함유량보다 낮은 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 11 항에 있어서,상기 p+형 반도체층의 탄소(C) 대비 실리콘(Si) 함유량은 1at% 이상 15at% 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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16
제 11 항에 있어서,상기 p형 반도체층의 탄소(C) 대비 실리콘(Si) 함유량은 3at% 이상 30at% 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 11 항에 있어서,상기 버퍼층의 탄소(C) 대비 실리콘(Si) 함유량은 1at% 이상 15at% 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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기판;상기 기판의 상부에 배치되는 전면 전극; 상기 전면 전극 상부에 배치되는 후면 전극; 및 상기 전면 전극과 상기 후면 전극 사이에 배치되며, 제 1 타입의 불순물이 도핑된 p형 반도체층, 상기 제 1 타입과 반대인 제 2 타입의 불순물이 도핑된 n형 반도체층, 및 상기 p형 반도체층과 상기 n형 반도체층 사이에 배치되는 진성(i) 반도체층을 포함하는 광전 변환부;를 포함하며,상기 광전 변환부는 상기 p형 반도체층과 상기 전면 전극 사이 배치되며 탄소(C)를 함유하지 않는 상기 p+형 반도체층; 및 상기 p형 반도체층과 상기 진성 반도체층 사이 배치되며 탄소(C) 함유량이 상기 p형 반도체층의 탄소(C) 함유량보다 낮은 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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