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제 1 도전성 타입의 불순물이 도핑된 결정질 반도체 기판;상기 결정질 반도체 기판의 전면에 형성되며, 상기 제 1 도전성 타입의 불순물이 상기 결정질 반도체 기판보다 더 고농도로 도핑된 전면 전계부;상기 전면 전계부의 전면에 형성되는 반사 방지부;상기 결정질 반도체 기판의 후면에 위치하며, 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 에미터부;상기 에미터부 위에 위치하는 제 1 전극;상기 결정질 반도체 기판의 후면에 상기 에미터부와 나란하게 위치하며, 상기 제 1 도전성 타입의 불순물이 상기 결정질 반도체 기판보다 더 고농도로 도핑되는 후면 전계부; 및상기 후면 전계부 위에 위치하고, 상기 제1 전극과 나란하게 이격되어 위치하는 제 2 전극;을 포함하며,상기 반사 방지부는 상기 전면 전계부의 표면으로부터 돌출된 복수 개의 반사 방지 와이어를 포함하고, 상기 복수 개의 반사 방지 와이어는 상기 전면 전계부와 동일한 실리콘 재질로 형성되고, 전면 전계부와 동일한 상기 제1 도전성 타입의 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 반사 방지 와이어의 각각의 길이가 3㎛ 이상 8㎛이하인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 반사 방지 와이어의 각각의 직경은 20nm 이상 200nm 이하인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 복수 개의 반사 방지 와이어는 상기 전면 전계부의 전면 표면에 수직 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 복수 개의 반사 방지 와이어에서 상기 전면 전계부로부터 돌출된 끝부분은 평탄면 없이 뾰족한 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 반사 방지부는 상기 제 1 도전성 타입의 불순물이 상기 전면 전계부와 동일한 농도로 도핑된 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 결정질 반도체 기판, 상기 반사 방지부 및 상기 전면 전계부는 단결정 실리콘(Si) 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 전면 전계부의 두께는 2㎛이상 8㎛이하인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 에미터부는 결정질 실리콘 재질 또는 비정질 실리콘 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 후면 전계부는 결정질 실리콘 재질 또는 비정질 실리콘 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
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표면에 복수 개의 홀이 형성된 실리콘(porous Si) 웨이퍼의 상부 표면에 제 1 도전성 타입의 불순물이 도핑된 결정질 반도체 기판을 형성하는 단계;상기 결정질 반도체 기판의 전면에 상기 제 1 도전성 타입의 불순물이 상기 결정질 반도체 기판보다 더 고농도로 도핑된 전면 전계부를 형성하는 단계;상기 전면 전계부의 전면에 상기 제 1 도전성 타입의 불순물이 도핑된 복수 개의 반사 방지 와이어가 상기 전면 전계부의 표면으로부터 돌출되어 형성된 반사 방지부를 형성하는 단계; 및상기 반사 방지부를 형성한 이후, 상기 결정질 반도체 기판의 후면에서 상기 복수 개의 홀이 형성된 실리콘(porous Si) 웨이퍼를 제거하는 단계;를 포함하고,상기 반사 방지부를 형성하는 단계는 상기 전면 전계부의 표면으로부터 내부 방향으로 상기 전면 전계부를 에칭(etching)하여 상기 복수 개의 반사 방지 와이어를 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 결정질 반도체 기판을 형성하는 단계는 상기 복수 개의 홀이 형성된 실리콘 웨이퍼를 어닐링(annealing)하여 상기 복수 개의 홀의 입구를 봉쇄한 다음, 상기 복수 개의 홀의 입구가 봉쇄된 실리콘 웨이퍼의 표면에 단결정 실리콘층을 에피텍셜 성장(epitaxial growth)시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 결정질 반도체 기판을 형성하는 단계는 상기 단결정 실리콘층을 성장시키면서 동시에 상기 단결정 실리콘층에 상기 제 1 도전성 타입의 불순물을 도핑하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 전면 전계부를 형성하는 단계는 상기 결정질 반도체 기판의 전면에 상기 단결정 실리콘층을 연속적으로 에피텍셜 성장시키면서 동시에 상기 제 1 도전성 타입의 불순물을 상기 결정질 반도체 기판보다 고농도로 도핑하면서 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 반사 방지부를 형성하는 단계는 상기 전면 전계부를 형성한 이후, 금속 나노 입자를 이용하여 상기 반사 방지부를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 은(Ag) 나노 입자인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 태양 전지의 제조 방법은상기 복수 개의 홀이 형성된 실리콘(porous Si) 웨이퍼를 제거한 후, 상기 결정질 반도체 기판의 후면에 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 에미터부를 형성하는 단계; 및상기 결정질 반도체 기판의 후면에 상기 에미터부와 나란하게 상기 제 1 도전성 타입의 불순물이 상기 결정질 반도체 기판보다 고농도로 도핑되는 후면 전계부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제 17 항에 있어서,상기 태양 전지의 제조 방법은상기 에미터부의 후면에 제 1 전극을 형성하고, 상기 후면 전계부의 후면에 제 2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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