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질화물계 반도체 발광 소자에 있어서,제1 전도성 반도체층;제2 전도성 반도체층;상기 제1 전도성 반도체층과 제2 전도성 반도체층 사이에 위치하며, 적어도 하나 이상의 양자 장벽층과 양자 우물층을 포함하는 활성층; 및상기 양자 장벽층과 양자 우물층의 사이에 위치하여, 상기 양자 우물층 또는 양자 장벽층에 포함되는 원자가 확산되는 것을 방지하기 위한 것으로서, 상기 양자 우물층의 격자상수와 상기 양자 장벽층의 격자상수 사이의 격자상수를 갖는 확산 방지층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 양자 우물층은, In을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 2항에 있어서, 상기 확산 방지층은, 상기 In 원자보다 격자 상수가 작은 원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 확산 방지층은, Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제 4항에 있어서, 상기 Al의 조성은, AlxGa1-xN (0
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제 1항에 있어서, 상기 확산 방지층의 두께는, 0
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제 1항에 있어서, 상기 확산 방지층의 격자 상수는, GaN의 격자 상수와 InGaN의 격자 상수 사이인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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8
제 1항에 있어서, 상기 확산 방지층의 격자 상수는, GaN의 격자 상수와 InxGa1-xN (0
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제 1항에 있어서, 상기 확산 방지층은, 전도성을 띠는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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10
제 1항에 있어서, 상기 확산 방지층은, 제1 전도성 도펀트 또는 제2 전도성 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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11
청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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12
청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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13
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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