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기판;상기 기판에 배치되는 전면 전극; 상기 전면 전극 상부에 배치되는 후면 전극; 및 상기 전면 전극과 상기 후면 전극 사이에 배치되며, p형 반도체층, 진성(i) 반도체층, 및 n형 반도체층을 포함하는 광전 변환부;를 포함하며,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 상기 p형 반도체층과 접하고 상기 p형 반도체층으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 점진적으로 감소하는 제 1 그레이드 영역, 상기 n형 반도체층과 접하고 상기 n형 반도체층으로 인접할수록 상기 에너지 밴드갭이 점진적으로 증가하는 제 2 그레이드 영역, 및 상기 제 1 그레이드 영역과 상기 제 2 그레이드 영역 사이에 위치하며, 상기 에너지 밴드갭이 오차 범위 내에서 균일하게 유지되는 균일영역을 포함하고,상기 균일 영역의 두께는 상기 제 1 그레이드 영역의 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 그레이드 영역은 상기 p형 반도체층으로부터 멀어질수록 게르마늄(Ge)의 농도가 점진적으로 증가하고,상기 제 2 그레이드 영역은 상기 n형 반도체층으로 인접할수록 상기 게르마늄(Ge)의 농도가 점진적으로 감소하고, 상기 균일 영역은 상기 게르마늄(Ge)의 농도가 오차 범위 내에서 균일하게 유지되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 그레이드 영역은 상기 제 2 그레이드 영역보다 상기 기판에 더 인접하여 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 그레이드 영역의 상기 게르마늄(Ge)의 농도는 1wt% 이상 20wt% 이하의 범위에서 점진적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 그레이드 영역의 상기 게르마늄(Ge)의 농도는 1wt% 이상 20wt% 이하의 범위에서 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 균일 영역의 상기 게르마늄(Ge) 농도는 5wt% 이상 20wt% 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 균일 영역의 오차 범위는 15% 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 균일 영역의 두께는 10nm 이상 500nm 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 그레이드 영역의 두께는 1nm 이상 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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10
제 1 항에 있어서,상기 제 2 그레이드 영역의 두께는 5nm 이상 300nm 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 그레이드 영역에서 에너지 밴드갭의 증가 기울기가 비선형적으로 증가하되, 상기 에너지 밴드갭의 증가 기울기가 점진적으로 완만해지는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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12
제 1 항에 있어서,상기 제 2 그레이드 영역의 두께는 상기 균일 영역의 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 비정질 실리콘(a-si) 및 미세 결정 실리콘(mc-si) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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