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제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 제1 전극을 포함하고, 상기 발광 구조물의 적어도 일측면에는 요철 구조가 생성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 발광 구조물의 측면을 식각하여 노출된 상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되고, 상기 요철 구조는 상기 발광 구조물 양측면 중 상기 제1 전극과 근접한 일측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제2항에 있어서, 상기 요철 구조는 상기 발광 구조물의 양측면 중 상기 제1 전극과 근접하지 않는 타측면의 적어도 일부에도 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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4
제1항에 있어서,상기 발광 구조물은 기판 상에 형성되며, 상기 기판 상에는 요철 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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5
제1항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층의 표면 상으로 요철 구조가 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층 상으로 형성되는 투명 전극층; 및 상기 투명 전극층 상으로 형성되는 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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7
제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;상기 발광 구조물의 적어도 일측면에 요철 구조를 형성하는 단계; 및상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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8
제7항에 있어서,상기 발광 구조물의 적어도 일측면에 요철 구조를 형성하는 단계는,상기 발광 구조물의 측면 식각 시, 상기 요철 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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9
제7항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 제1 전극을 형성하는 단계는,상기 발광 구조물의 측면을 식각하여 노출된 상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 상기 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 요철 구조는 상기 발광 구조물 양측면 중 상기 제1 전극과 근접한 일측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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10
제9항에 있어서, 상기 요철 구조는 상기 발광 구조물의 양측면 중 상기 제1 전극과 근접하지 않은 타측면의 적어도 일부에도 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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11
제7항에 있어서,상기 발광 구조물은 기판 상에 형성되며, 상기 기판 상에는 요철 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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12
제7항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층의 표면 상으로 요철 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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13
제7항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층 상으로 투명 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 투명 전극층 상으로 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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