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제1극성 및 제2극성을 가지는 반도체에 대하여, 단일의 제1극성의 반도체 박막을 성장하기 위한 반도체 박막 성장 방법에 있어서,(a) 기판상에 상기 제1극성 및 제2극성-소정의 식각에 대하여 식각률이 상이함-의 반도체의 성장을 수행하는 단계;(b) 상기 소정의 식각을 수행하여, 상기 제2극성의 반도체를 식각하는 단계; (c) 상기 제1극성의 반도체의 상부 일부가 드러나도록, 상기 제1극성의 반도체보다 그 두께가 얇도록, 마스크를 증착하는 단계; 및(d) 상기 제1극성의 반도체의 수평재성장을 수행하는 단계를 포함하는 반도체 박막 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계는, 상기 마스크를 상기 제1극성의 반도체보다 더 두껍게 증착한 후, 식각을 통해 상기 제1극성의 반도체의 상부 일부가 드러나도록 하는 단계를 더 포함하는 반도체 박막 성장 방법
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제1극성 및 제2극성을 가지는 반도체에 대하여, 단일의 제1극성의 반도체 박막을 성장하기 위한 반도체 박막 성장 방법에 있어서,기판상에 상기 제1극성 및 제2극성의 반도체의 성장을 수행하는 단계;상기 제1극성의 반도체보다 그 두께가 얇고, 상기 제2극성의 반도체와 실질적으로 두께가 동일한 마스크를 증착하는 단계; 및 상기 제1극성의 반도체의 수평재성장을 수행하는 단계를 포함하되,상기 마스크는 상기 제1극성의 반도체의 상부 일부가 드러나도록 증착되는 반도체 박막 성장 방법
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Al극성 AlN 박막을 기판상에 성장하기 위한 반도체 박막 성장 방법에 있어서,상기 기판상에 N극성 AlN과 Al극성 AlN의 성장을 수행하는 단계;습식식각을 수행하여, 상기 N극성 AlN 반도체를 식각하는 단계; 상기 Al극성 AlN의 상부 일부가 드러나도록, 상기 Al극성 AlN의 두께보다 얇은 마스크를 증착하는 단계; 및상기 Al극성 AlN의 수평재성장을 수행하는 단계를 포함하는 반도체 박막 성장 방법
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제4항에 있어서,상기 Al극성 AlN의 두께보다 얇은 마스크를 증착하는 단계는, 상기 마스크를 상기 Al극성 AlN보다 더 두껍게 증착한 후, 식각을 통해 상기 상기 Al극성 AlN의 상부 일부가 드러나도록 하는 단계를 더 포함하는 반도체 박막 성장 방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법에 의해 성장된 반도체 박막
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