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발광소자

  • 기술번호 : KST2015063780
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 예에 따른 발광소자는, 발광구조물과 전극 사이의 접착력을 향상시키기 용이한 구조를 갖도록, 실시 예는 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 제2 반도체층 상에 투광성전극층, 상기 투광성 전극층 상에 제1 전극 및 상기 제2 반도체층과 상기 제1 전극 사이에 절연성 물질로 이루어진 제1 LEL(Light Enhancement Layer)층; 을 포함하고, 상기 제1 LEL 층은 적어도 일부가 상기 투광성전극층과 접하도록 형성된 발광 소자를 제공한다.
Int. CL H01L 33/46 (2014.01) H01L 33/14 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020100131629 (2010.12.21)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1182919-0000 (2012.09.07)
공개번호/일자 10-2012-0070189 (2012.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120913) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.21)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성균 대한민국 서울특별시 중구
2 임우식 대한민국 서울특별시 중구
3 추성호 대한민국 서울특별시 중구
4 범희영 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0844349-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0097516-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0766889-24
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0158668-90
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0158669-35
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0492045-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물; 상기 제2 반도체층 상에 투광성전극층; 상기 투광성 전극층 상에 제1 전극; 및상기 제2 반도체층과 상기 제1 전극 사이에 절연성 물질로 이루어진 제1 LEL(Light Enhancement Layer)층; 을 포함하고, 상기 제1 LEL 층은,상기 투광성전극층과 적어도 일부가 접촉되며, 형광체를 포함하는 발광소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 LEL 층은,상기 형광체로 이루어진 형광체층 또는 상기 형광체와 절연물질로 이루어진 혼합층 또는 상기 형광체로 이루어진 형광체층과 절연물질로 이루어진 절연물질층이 교대로 적층된 구조를 갖는 발광소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 투광성전극층은,상기 제2 반도체층과 상기 제1 LEL 층의 상부를 덮는 발광소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 투광성전극층은,적어도 일부에 오픈 영역을 가지며,상기 제1 전극은,상기 오픈 영역 상에 배치된 발광소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제1 전극은,상기 제1 LEL 층에 접촉된 발광소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제1 LEL층은,형광 필름인 발광소자
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제1 LEL 층의 두께는,3Å 내지 1mm인 발광소자
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 투광성전극층 상에 제2 LEL 층;을 더 포함하며,상기 제2 LEL 층은,상기 제1 LEL 층과 동일한 재질인 발광소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 발광구조물의 측면에 제3 LEL 층;을 더 포함하며,상기 제3 LEL 층은,상기 제1 LEL 층과 동일한 재질인 발광소자
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 제1 LEL 층은,이트륨(Y), 세륨(Ce), 란탄(La), 망간(Mn), 사마륨(Sm), 스트론튬(Sr), 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 규소(Si) 및 유로피움(Eu) 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자
11 11
제1 항에 있어서,상기 제1 반도체층 상에 배치되며, 상기 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함하는 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.