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박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2015063825
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 박막 태양전지는 기판; 기판 위에 위치하며, 광 흡수용 제1 진성층을 포함하는 제1 광전 변환부; 및 제1 광전 변환부를 투과한 빛을 상기 제1 광전 변환부로 반사하는 후면 반사층을 포함하며, 후면 반사층은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 제1 후면 반사막을 구비하고, 제1 후면 반사막은 제1 광전 변환부의 제1 진성층과 직접 접촉한다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/075 (2014.01) H01L 31/052 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100131821 (2010.12.21)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1292061-0000 (2013.07.26)
공개번호/일자 10-2012-0070312 (2012.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20130801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.21)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황선태 대한민국 서울특별시 서초구
2 이승윤 대한민국 서울특별시 서초구
3 정진원 대한민국 서울특별시 서초구
4 안세원 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0845270-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091702-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0700615-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0031223-08
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0315774-62
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0594760-08
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0691371-95
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0041288-78
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0357958-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 위치하며, 광 흡수용 제1 진성층을 포함하는 제1 광전 변환부; 및상기 제1 광전 변환부를 투과한 빛을 상기 제1 광전 변환부로 반사하는 후면 반사층을 포함하며,상기 후면 반사층은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 제1 후면 반사막을 구비하며, 상기 제1 후면 반사막은 상기 제1 광전 변환부의 제1 진성층과 직접 접촉하는 박막 태양전지
2 2
제1항에서,상기 제1 후면 반사막은 700㎚ 이상의 파장을 갖는 태양광 성분에 대하여 400 cm-1 이하의 광 흡수계수를 갖는 물질로 이루어지는 박막 태양전지
3 3
제1항에서,상기 제1 후면 반사막은 800㎚의 파장에서 1
4 4
제3항에서,상기 제1 진성층은 800㎚의 파장에서 3 내지 5의 굴절률을 갖는 물질로 이루어지는 박막 태양전지
5 5
제4항에서,상기 제1 진성층은 수소화된 비정질 실리콘(a-Si: H) 또는 수소화된 미세 결정 실리콘(μc-Si: H)을 포함하는 박막 태양전지
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에서,상기 제1 후면 반사막은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx: H), 미세 결정 실리콘 질화물(μc-SiNx: H) 및 미세 결정 실리콘 산화질화물(μc-SiOxNy: H) 중 하나로 이루어지는 박막 태양전지
7 7
제6항에서,상기 후면 반사층은 700㎚ 이상의 파장을 갖는 태양광 성분에 대하여 400 cm-1 이상의 광 흡수계수를 갖는 물질로 이루어진 제2 후면 반사막을 더 포함하는 박막 태양전지
8 8
제7항에서,상기 제2 후면 반사막은 상기 제1 후면 반사막에 비해 전기 전도도가 높은 박막 태양전지
9 9
제8항에서,상기 제2 후면 반사막은 AZO(Aluminum zinc-oxide) 또는 BZO(Boron zinc-oxide)로 이루어지는 박막 태양전지
10 10
제9항에서,상기 제2 후면 반사막은 상기 제1 후면 반사막의 후면에 위치하는 박막 태양전지
11 11
제6항에서,상기 광전 변환부는 상기 제1 광전 변환부와 상기 기판 사이에 위치하는 제2 광전 변환부를 더 포함하며, 상기 제2 광전 변환부는 제2 진성층을 포함하는 박막 태양전지
12 12
제11항에서,상기 제1 광전 변환부와 제2 광전 변환부 사이에 중간 반사층이 위치하는 박막 태양전지
13 13
제12항에서,상기 중간 반사층은 상기 제1 진성층과 직접 접촉하는 제1 중간 반사막을 포함하며, 상기 제1 중간 반사막은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx: H), 미세 결정 실리콘 질화물(μc-SiNx: H) 및 미세 결정 실리콘 산화질화물(μc-SiOxNy: H) 중 하나로 이루어지는 박막 태양전지
14 14
제13항에서,상기 중간 반사층은 상기 제1 중간 반사막 및 상기 제2 진성층과 각각 접촉하는 제2 중간 반사막을 더 포함하며, 상기 제2 중간 반사막은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx: H), 미세 결정 실리콘 질화물(μc-SiNx: H) 및 미세 결정 실리콘 산화질화물(μc-SiOxNy: H) 중 하나로 이루어지는 박막 태양전지
15 15
제12항에서,상기 중간 반사층은 상기 제1 광전 변환부의 p형 도핑층과 직접 접촉하는 제1 중간 반사막을 포함하며, 상기 제1 중간 반사막은 AZO(Aluminum zinc-oxide) 또는 BZO(Boron zinc-oxide)로 이루어지는 박막 태양전지
16 16
제15항에서,상기 중간 반사층은 상기 제1 중간 반사막 및 상기 제2 진성층과 각각 접촉하는 제2 중간 반사막을 더 포함하며, 상기 제2 중간 반사막은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx: H), 미세 결정 실리콘 질화물(μc-SiNx: H) 및 미세 결정 실리콘 산화질화물(μc-SiOxNy: H) 중 하나로 이루어지는 박막 태양전지
17 17
제11항에서,상기 광전 변환부는 상기 제2 광전 변환부와 상기 기판 사이에 위치하는 제3 광전 변환부를 더 포함하는 박막 태양전지
18 18
제17항에서,상기 제1 광전 변환부 내지 제3 광전 변환부의 사이에는 적어도 하나의 중간 반사층이 위치하는 박막 태양전지
19 19
제18항에서,상기 적어도 하나의 중간 반사층은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx: H), 미세 결정 실리콘 질화물(μc-SiNx: H) 및 미세 결정 실리콘 산화질화물(μc-SiOxNy: H) 중 하나로 이루어지거나, AZO(Aluminum zinc-oxide) 또는 BZO(Boron zinc-oxide)로 이루어진 제1 중간 반사막을 포함하는 박막 태양전지
20 20
제19항에서,상기 적어도 하나의 중간 반사층은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx: H), 미세 결정 실리콘 질화물(μc-SiNx: H) 및 미세 결정 실리콘 산화질화물(μc-SiOxNy: H) 중 하나로 이루어진 제2 중간 반사막을 더 포함하는 박막 태양전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02469609 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02469609 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05795492 JP 일본 FAMILY
4 JP24134440 JP 일본 FAMILY
5 US20110180128 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2469609 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2469609 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2012134440 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5795492 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2011180128 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.