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기판;상기 기판의 상부에 배치되는 전면 전극; 상기 전면 전극 상부에 배치되는 후면 전극; 및 상기 전면 전극과 상기 후면 전극 사이에 배치되며, 광을 입사받아 전기로 변환하는 광전 변환부;를 포함하며,상기 전면 전극에서 상기 광전 변환부와 접하는 면은 곡면을 포함하는 요철 형상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 전면 전극에서 상기 요철 형상의 곡면은 상기 요철 형상의 골짜기 부분에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 전면 전극에서 상기 요철 형상의 곡면은 상기 요철 형상의 봉우리 부분에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 전면 전극은 ZnO 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 전면 전극에서 상기 곡면을 포함하는 요철 형상의 경사면과 상기 기판의 상부면과 사이의 각은 40˚이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 전면 전극의 요철면에서 상기 곡면의 직경은 50nm 이상 1
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 P형 반도체층, 진성(i) 반도체층, 및 n형 반도체층의 p-i-n 구조가 적어도 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 게르마늄(Ge)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 비정질 실리콘(a-si) 또는 미세 결정 실리콘(mc-si) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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기판의 상부에 전면 전극을 형성하는 단계;상기 전면 전극의 상부면에 광을 입사받아 전기로 변환하는 광전 변환부를 형성하는 단계; 및상기 광전 변환부의 상부에 후면 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 전면 전극을 형성하는 단계는 먼저 전면 전극의 상부면에 곡면이 없는 요철 형상을 형성한 이후, 상기 전면 전극을 건식 식각(etching)하여 상기 요철 형상이 곡면을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 전면 전극의 요철 형상은 상기 전면 전극을 스퍼터링(sputtering)방법 또는 저압 화학 기상 증착(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition;LPCVD) 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 전면 전극의 요철 형상이 곡면을 갖도록 하는 건식 에칭 공정은 식각 가스로 CF4, CH4, CHF3 또는 Cl2 중 적어도 하나의 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 전면 전극의 요철 형상이 곡면을 갖도록 하는 건식 식각 공정은 플라즈마 생성 가스로 아르곤(Ar) 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 건식 식각 공정에서 사용되는 상기 식각 가스와 상기 플라즈마 생성 가스를 포함한 전체 가스 중에서 상기 플라즈마 생성 가스의 비율은 상기 전체 가스의 35% 이상인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 광전 변환부를 형성하는 단계는 플라즈마 화학 증착 기상(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;PECVD) 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지의 제조 방법
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