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기판; 상기 기판의 일면에 형성되는 제1 투명 박막층; 상기 제1 투명 박막층의 상부에 형성되고, 양자점 입자들로 이루어지는 양자점층;상기 양자점층의 상면 또는 하면 중 적어도 일면에 형성되고, 금속 산화물 나노 입자들로 이루어지는 보호층; 및상기 양자점층 및 상기 보호층이 형성되는 영역을 설정하기 위하여 상기 제1 투명 박막층의 상면에 형성되는 격벽 부재를 포함하되,상기 양자점 입자들은 제1직경을 갖는 제1양자점 입자들과, 상기 제1직경과는 다른 제2직경을 갖는 제2양자점 입자들을 포함하며,상기 제1 투명 박막층은 소수성의 투명 박막을 상기 기판의 일면에 증착, 도포 또는 인쇄하여 형성되는 광소자
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제1항에 있어서,상기 양자점층은, 서로 다른 밴드 갭을 갖는 양자점 입자들이 소정의 비율로 혼합되어 분산되어 있는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 입자들은,ZnO, TiO2, Al2O3, Ta2O5, MgO, NiO, Cr2O3, WO3, VOx 중 적어도 하나를 포함하는 광소자
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제1항에 있어서, 상기 격벽 부재는,상기 양자점층 및 보호층을 관통하여 소정의 간격으로 형성되는 복수의 기둥 또는 격자 형상의 돌기를 더 포함하는 광소자
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제1항에 있어서,상기 광소자의 최상층에 형성되는 제2 투명 박막층을 더 포함하는 광소자
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발광 다이오드;상기 발광 다이오드가 실장되는 저면부, 상기 저면부로부터 상방으로 돌출되도록 형성되며 상기 발광 다이오드를 둘러싸고 있는 측벽부, 개방된 상부에 형성되는 광 출사부를 구비하는 하우징; 및상기 광 출사부에 접합되고, 상기 발광 다이오드가 출사하는 광의 일부를 파장 변환시켜 발광하는 양자점 입자들을 포함하는 투명 박판 형상의 광소자를 포함하고, 상기 광소자는 기판; 상기 기판의 일면에 형성되는 제1 투명 박막층; 상기 제1 투명 박막층의 상부에 형성되고, 양자점 입자들로 이루어지는 양자점층; 상기 양자점층의 상면 또는 하면 중 적어도 일면에 형성되고, 금속 산화물 나노 입자로 이루어지는 보호층; 및상기 양자점층 및 상기 보호층이 형성되는 영역을 설정하기 위한 격벽 부재를 포함하되,상기 양자점 입자들은 제1직경을 갖는 제1양자점 입자들과, 상기 제1직경과는 다른 제2직경을 갖는 제2양자점 입자들을 포함하며,상기 제1 투명 박막층은 소수성의 투명 박막을 상기 기판의 일면에 증착, 도포 또는 인쇄하여 형성되는 발광 다이오드 패키지
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제6항에 있어서,상기 광소자는,상기 광소자의 최상층에 형성되는 제2 투명 박막층을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지
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제6항에 있어서,상기 격벽 부재는,상기 양자점층 및 보호층을 관통하여 소정의 간격으로 형성되는 복수의 기둥 또는 격자 형상의 돌기를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지
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제7항에 있어서, 상기 광소자는, 상기 기판 또는 상기 제2 투명 박막층이 상기 광 출사부에 접합되는 발광 다이오드 패키지
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제6항에 있어서,상기 양자점층은, 서로 다른 밴드 갭을 갖는 양자점 입자들이 소정의 비율로 혼합되어 분산되어 있는 발광 다이오드 패키지
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제6항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 입자들은,ZnO, TiO2, Al2O3, Ta2O5, MgO, NiO, Cr2O3, WO3, VOx 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 패키지
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제6항에 있어서, 상기 측벽부의 내면에 형성되는 반사 면을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지
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제6항에 있어서, 상기 측벽부로 둘러싸이는 내측 공간은 발광 다이오드의 광 추출 효율을 향상시키는 투명한 굴절률 정합 물질로 채워지는 발광 다이오드 패키지
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제6항에 있어서, 상기 광소자의 상부에 형성되는 광도 조절부를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지
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제14항에 있어서, 상기 광도 조절부는 돔 형상의 렌즈, 미세 렌즈 배열 또는 요철 형상층 중 어느 하나인 발광 다이오드 패키지
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제6항의 발광 다이오드 패키지를 적용한 백라이트 장치
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