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상면에 제1 도전형 반도체층, 하면에 제2 도전형 반도체층, 그리고 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물,상기 발광 구조물의 하면 위에 소자 패드,상기 소자 패드 위에 금속볼, 상기 금속볼을 덮으며 상기 금속볼의 상면을 노출하는 절연층, 그리고상기 절연층 위에 상기 금속볼의 상면을 덮는 기판패드를 포함하며,상기 발광 구조물 및 상기 절연층은 상기 발광 구조물의 상면에서 볼록하게 제1각도로 구부러져 형성되는 발광소자 패키지
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제1항에 있어서,상기 발광 구조물의 하면은 상기 제2 도전형 반도체층이 노출되는 제1면, 그리고상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 제2면을 가지는 발광소자 패키지
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제3항에 있어서,상기 소자 패드는 상기 제1면 및 제2면에 각각 형성되는 발광소자 패키지
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제1항에 있어서,상기 제1각도는 상기 발광 구조물의 직경의 양 끝에서 상부의 중심까지의 각도인 발광소자 패키지
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제5항에 있어서,상기 제1각도는 0 내지 45도인 발광소자 패키지
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제5항에 있어서,상기 제1각도는 상기 발광소자 패키지의 지향각에 따라 결정되는 발광소자 패키지
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제1항에 있어서,상기 소자 패드는 상기 발광 구조물 위에 티타늄 합금층,상기 티타늄 합금층 위에 구리 합금층, 그리고상기 구리 합금층 위에 니켈 합금층을 포함하는 발광소자 패키지
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기판 위에 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 가지는 발광 구조물을 형성하는 단계,상기 발광 구조물 위에 소자 패드를 형성하는 단계,상기 소자 패드 위에 솔더 페이스트를 도포하고 금속볼을 솔더링하는 단계,상기 금속볼의 상면이 노출되도록 절연 물질을 상기 발광 구조물 위에 도포하고 제1 경화하는 단계, 상기 기판을 제거하는 단계, 상기 발광 구조물 및 상기 절연물질을 제1 각도로 구부린 상태로 제2 경화하여 절연층을 형성하는 단계, 그리고 상기 금속볼 위에 기판 패드를 형성하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 발광 구조물을 형성하는 단계는,상기 제2 도전형 반도체층의 일부를 식각하여 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 소자 패드는 상기 제2 도전형 반도체층 위 및 상기 제1 도전형 반도체층 위에 각각 형성하는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 소자 패드를 형성하는 단계는,상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 위에 티타늄 합금층을 형성하는 단계,상기 티타늄 합금층 위에 구리 합금층을 형성하는 단계, 그리고상기 구리 합금층 위에 니켈 합금층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 경화하는 단계는,상기 절연 물질을 90% 미만으로 경화시키는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 제1 경화하는 단계는,상온 내지 600도의 온도로 경화하는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 각도는 상기 발광 구조물의 직경의 양 끝에서 상부의 중심까지의 각도인 발광소자 패키지의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 제1각도는 0 내지 45도인 발광소자 패키지의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 제1각도는 상기 발광소자 패키지의 지향각에 따라 결정되는 발광소자 패키지의 제조 방법
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