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질화물계 반도체 발광 소자

기술번호 : KST2015064284
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 발광 소자에 관한 것으로 특히, 광 출력을 향상시킬 수 있는 질화물계 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 질화물계 반도체 발광 소자에 있어서, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 위치하는 반사 전극; 및 상기 반사 전극 상에 위치하며, 제 1전도성 반도체층, 상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층, 및 상기 활성층 상에 위치하고 발광면 상에 광 추출 구조를 갖는 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조를 포함하고, 상기 제 1전도성 반도체층의 두께 및 상기 반도체 구조 전체의 두께는, 상기 활성층에서 직접 방출되는 광과 상기 활성층에서 방출되어 상기 반사 전극에서 반사된 광에 의한 간섭 현상의 보강 간섭 조건에 해당하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL	H01L 33/22 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC	H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자	1020110002623 (2011.01.11)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2012-0081335 (2012.07.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2015.07.28)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	성준호	대한민국	서울특별시 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2	방해철	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.01.11	수리 (Accepted)	1-1-2011-0021276-93
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2014.12.22	수리 (Accepted)	1-1-2014-1246879-17
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2015.07.28	수리 (Accepted)	1-1-2015-0732666-11
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2016.05.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2016.08.10	수리 (Accepted)	9-1-2016-0034882-82
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2016.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0628064-65
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.10.31	수리 (Accepted)	1-1-2016-1062290-34
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.10.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-1062289-98
10	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2017.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0224391-50
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 질화물계 반도체 발광 소자에 있어서,도전성 기판;상기 도전성 기판 상에 위치하는 반사 전극; 및상기 반사 전극 상에 위치하며, 제 1전도성 반도체층, 상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층, 및 상기 활성층 상에 위치하고 발광면 상에 광 추출 구조를 갖는 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조를 포함하고,상기 제 1전도성 반도체층의 두께 및 상기 반도체 구조 전체의 두께는, 상기 활성층에서 직접 방출되는 광과 상기 활성층에서 방출되어 상기 반사 전극에서 반사된 광에 의한 간섭 현상의 보강 간섭 조건에 해당하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
2	2 제 1항에 있어서, 상기 보강 간섭 조건은, 상기 제 1전도성 반도체층의 두께 및 상기 반도체 구조의 두께가 λ/4n의 홀수배±10 nm(상기 λ는 방출되는 빛의 파장, 상기 n은 반도체층의 굴절률)인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
3	3 제 1항에 있어서, 상기 광 추출 구조는, 제 2전도성 반도체층의 발광면에 위치하는 거친 표면인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
4	4 제 1항에 있어서, 상기 광 추출 구조는, 제 2전도성 반도체층의 발광면에 불규칙하게 배열되는 육각뿔 또는 육각 기둥 구조인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
5	5 제 1항에 있어서, 상기 광 추출 구조는, 제 2전도성 반도체층의 발광면에 위치하는 요철 구조인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
6	6 제 1항에 있어서, 상기 광 추출 구조는, 광 결정인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
7	7 제 1항에 있어서, 상기 도전성 기판은, 금속 또는 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
8	8 제 1항에 있어서, 상기 제 1전도성 반도체층의 두께는, 상기 반사 전극에서 활성층 사이의 최단거리인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
9	9 제 1항에 있어서, 상기 반도체 구조 전체의 두께는, 상기 반사 전극에서 상기 발광면 사이의 최단거리인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
10	10 제 1항에 있어서, 상기 반도체 구조 상에 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
11	11 제 1항에 있어서, 상기 도전성 기판과 반사 전극 사이에는 결합층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
12	12 질화물계 반도체 발광 소자에 있어서,도전성 기판;상기 도전성 기판 상에 위치하는 반사 전극; 및상기 반사 전극 상에 위치하며, 제 1전도성 반도체층, 상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층, 및 상기 활성층 상에 위치하고 발광면 상에 광 추출 구조를 갖는 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조를 포함하고,상기 반사 전극에서 활성층 사이의 최단거리 및 상기 반사 전극에서 상기 발광면 사이의 최단거리는, λ/4n의 홀수배±10 nm(상기 λ는 방출되는 빛의 파장, 상기 n은 반도체층의 굴절률)를 만족하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.01.11	수리 (Accepted)	1-1-2011-0021276-93
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2014.12.22	수리 (Accepted)	1-1-2014-1246879-17
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2015.07.28	수리 (Accepted)	1-1-2015-0732666-11
5	선행기술조사의뢰서	2016.05.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서	2016.08.10	수리 (Accepted)	9-1-2016-0034882-82
7	의견제출통지서	2016.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0628064-65
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.10.31	수리 (Accepted)	1-1-2016-1062290-34
9	[명세서등 보정]보정서	2016.10.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-1062289-98
10	거절결정서	2017.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0224391-50
11	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015064284
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	질화물계 반도체 발광 소자
기술개요	본 발명은 반도체 발광 소자에 관한 것으로 특히, 광 출력을 향상시킬 수 있는 질화물계 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 질화물계 반도체 발광 소자에 있어서, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 위치하는 반사 전극; 및 상기 반사 전극 상에 위치하며, 제 1전도성 반도체층, 상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층, 및 상기 활성층 상에 위치하고 발광면 상에 광 추출 구조를 갖는 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조를 포함하고, 상기 제 1전도성 반도체층의 두께 및 상기 반도체 구조 전체의 두께는, 상기 활성층에서 직접 방출되는 광과 상기 활성층에서 방출되어 상기 반사 전극에서 반사된 광에 의한 간섭 현상의 보강 간섭 조건에 해당하는 것을 특징으로 한다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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