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다층 셀 플래시 메모리의 버퍼 관리 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015064365
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SSD (Solid State Disk) 저장장치에 관한 것으로서, 특히 다층셀(MLC: Multi Layer Cell) 플래시 메모리에서 버퍼를 관리하는 방법 및 그 저장장치에 관한 것이다.본 발명은, 다층셀 메모리 구조에서 프로그램 실패(또는 전원 실패) 등의 원인으로 발생할 수 있는 시블링 페이지의 데이터가 손상된 경우, 이 손상된 데이터를 복구하기 위하여; 유효 데이터 포인터를 시블링 거리 만큼 차이가 나게 설정하고; 시블링 거리 만큼 차이가 나게 유효 데이터 포인터를 설정함으로써, 시블링 페이지의 데이터가 저장된 버퍼의 해당 영역에 호스트 쓰기 동작에 의해 겹쓰기(overwrite) 동작이 일어나지 않게 방지하고; 또한, 버퍼에 저장된 데이터를 플래시 메모리로 플러시할 때, 프로그램 실패 등으로 시블링 페이지의 데이터가 손상되는지를 감시하고; 시블링 거리 만큼 차이가 나게 버퍼의 주소(즉, 시블링 페이지의 데이터가 저장된 버퍼의 주소)를 가리키는 유효 데이터 포인터를 이용하여, 시블링 페이지의 데이터가 손상 시, 손상된 시블링 페이지의 데이터를 복구하는 것이다.
Int. CL G06F 12/16 (2006.01) G06F 12/00 (2006.01)
CPC G06F 11/1666(2013.01) G06F 11/1666(2013.01) G06F 11/1666(2013.01)
출원번호/일자 1020110058135 (2011.06.15)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0138566 (2012.12.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종명 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0453641-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
다층셀(MLC: Multi Layer Cell) 플래시 메모리(flash memory)의 버퍼 관리 방법으로서,버퍼에 저장된 데이터를 플래시 메모리로 저장하는 단계와;상기 데이터를 플래시 메모리로 저장할 때, 시블링 거리를 이용하여 유효 데이터 포인터를 설정하는 단계와;상기 플래시 메모리에 저장되는 데이터에 손상으로 인해 해당 시블링 페이지의 데이터가 손상되었는지 탐지하는 단계와;상기 데이터에 손상으로 인해 해당 시블링 페이지의 데이터가 손상된 것이 탐지된 경우, 상기 설정된 유효 데이터 포인터를 이용하여 상기 손상된 데이터 및 상기 시블링 페이지의 데이터를 복구하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 셀 플래시 메모리의 버퍼 관리 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 유효 데이터 포인터는 수학식유효 데이터 포인터(VP: Vaild data Pointer) = 플러시 포인터(FP: Flush Pointer) - 시블링 거리(SD: Sibling Distance)를 이용하여 계산되며, 여기서,플러시 포인터는 상기 버퍼에 저장된 유효한 데이터 중에서 상기 플래시 메모리에 기록해야할 데이터를 가리키는 첫 번째 주소의 값을 가지고,상기 시블링 거리는 다층셀의 플래시 메모리 구조에서 시블링 페이지 간의 거리인 것을 특징으로 하는 다층 셀 플래시 메모리의 버퍼 관리 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 다층셀(MLC: Multi Layer Cell) 플래시 메모리(flash memory)가 다수의 칩(chip)들로 구성된 병렬구조인 경우,상기 유효 데이터 포인터는 수학식유효 데이터 포인터(VP: Vaild data Pointer) = 플러시 포인터(FP: Flush Pointer) - 시블링 거리(SD: Sibling Distance) * 칩 수를 이용하여 계산되며, 여기서,플러시 포인터는 상기 버퍼에 저장된 유효한 데이터 중에서 상기 플래시 메모리에 기록해야할 데이터를 가리키는 첫 번째 주소의 값을 가지고,상기 시블링 거리는 다층셀의 플래시 메모리 구조에서 시블링 페이지 간의 거리이고,상기 칩 수는 상기 다층셀의 플래시 메모리가 포함하고 있는 칩의 갯 수인 것을 특징으로 하는 다층 셀 플래시 메모리의 버퍼 관리 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 시블링 페이지의 데이터를 복구하는 단계에서상기 시블링 페이지 이전에 저장된 페이지들의 데이터를 상기 플래시 메모리의 다른 블록으로 복사하는 단계와;상기 유효 데이터 포인터가 가리키는 버퍼에 저장된 상기 시블링 페이지의 해당 데이터를 상기 다른 블록으로 복사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 셀 플래시 메모리의 버퍼 관리 방법
5 5
다층셀(MLC: Multi Layer Cell) 플래시 메모리(flash memory)의 버퍼 관리 방법으로서,시블링 페이지의 제1 데이터가 버퍼에서 플래시 메모리로 저장되는 단계와;상기 시블링 페이지로부터 시블링 거리를 산출하는 단계와; 상기 버퍼에 저장된 상기 시블링 페이지의 제1 데이터가 타 데이터로 겹쓰기되는 것을 방지하기 위해, 상기 산출한 시블링 거리 만큼 차이가 나도록 유효 데이터 포인터를 설정하는 단계와;상기 시블링 페이지의 제2 데이터가 상기 버퍼에서 상기 플래시 메모리로 저장할 때, 상기 시블링 페이지의 제2 데이터가 손상이 발생했는지 탐지하는 단계와;상기 시블링 페이지의 제2 데이터의 손상으로 인해 상기 시블링 페이지의 제1 데이터도 손상된 것으로 탐지된 경우, 상기 설정된 유효 데이터 포인터가 상기 가리키는 상기 시블링 페이지의 제1 데이터와, 상기 시블링 페이지의 제2 데이터를 상기 버퍼로부터 상기 플래시 메모리로 복구하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 셀 플래시 메모리의 버퍼 관리 방법
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제5항에 있어서, 상기 유효 데이터 포인터는 수학식유효 데이터 포인터(VP: Vaild data Pointer) = 플러시 포인터(FP: Flush Pointer) - 시블링 거리(SD: Sibling Distance)를 이용하여 계산되며, 여기서,플러시 포인터는 상기 버퍼에 저장된 유효한 데이터 중에서 상기 플래시 메모리에 기록해야할 데이터를 가리키는 첫 번째 주소의 값을 가지고,상기 시블링 거리는 다층셀의 플래시 메모리 구조에서 시블링 페이지 간의 거리인 것을 특징으로 하는 다층 셀 플래시 메모리의 버퍼 관리 방법
7 7
호스트와, 버퍼와, 플래시 메모리를 포함하여 구성된 다층셀(MLC: Multi Layer Cell) 플래시 메모리(flash memory) 저장 장치에 있어서, 상기 시블링 페이지의 데이터가 겹쓰기되지 않도록, 시블링 거리 만큼 차이가 나게 유효 데이터 포인트를 설정하고;상기 시블링 페이지의 데이터가 상기 플래시 메모리에 저장 시, 상기 시블링 페이지의 데이터 손상이 발생하는지 탐지하고;상기 시블링 페이지의 데이터 손상이 발생이 탐지된 경우, 상기 유효 데이터 포인트를 이용하여 상기 버퍼에서 상기 플래시 메모리로 상기 시블링 페이지의 데이터를 복구하도록 제어하는 플래시 메모리 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층셀 플래시 메모리 저장 장치
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제7항에 있어서, 상기 플래시 메모리 컨트롤러는수학식유효 데이터 포인터(VP: Vaild data Pointer) = 플러시 포인터(FP: Flush Pointer) - 시블링 거리(SD: Sibling Distance)를 이용하여 상기 유효 데이터 포인터를 계산하고, 여기서,플러시 포인터는 상기 버퍼에 저장된 유효한 데이터 중에서 상기 플래시 메모리에 기록해야할 데이터를 가리키는 첫 번째 주소의 값을 가지고,상기 시블링 거리는 다층셀의 플래시 메모리 구조에서 시블링 페이지 간의 거리인 것을 특징으로 하는 다층셀 플래시 메모리 저장 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.