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r-면 사파이어를 포함하는 기저 기판;상기 기저 기판 상에 위치하고, a-면 질화물계 반도체를 포함하는 질화물 기저층;상기 질화물 기저층 상에 위치하며, 다수의 공기 간극을 포함하는 결함완화층; 및상기 결함완화층 상에 위치하고, a-면 질화물계 반도체를 포함하는 질화물 반도체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 1항에 있어서, 상기 다수의 공기 간극 사이의 거리는 실질적으로 일정한 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 1항에 있어서, 상기 결함완화층은, 상기 공기 간극과 연결되는 평탄화부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 3항에 있어서, 상기 평탄화부에는 유전체가 채워진 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 3항에 있어서, 상기 이웃하는 평탄화부 사이의 폭은 실질적으로 일정한 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 3항에 있어서, 상기 평탄화부의 형상은, 삼각형, 사각형, 육각형, 및 일정 폭을 가지는 화살표 형상인 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 3항에 있어서, 상기 평탄화부의 꼭지점은 질화물 반도체의 c 방향에 정렬된 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 1항에 있어서, 상기 질화물 반도체층 상에는 다수의 공기 간극이 위치하는 제 2결함완화층이 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항의 이종 기판;상기 이종 기판 상에 위치하는 제 1전도성 반도체층;활성층;제 2전도성 반도체층;상기 제 1전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및상기 제 2전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 2전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 발광 소자
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제 9항에 있어서, 상기 질화물 반도체층은 제 1전도성인 것을 특징으로 하는 무분극 발광 소자
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r-면 사파이어 기판 상에 a-면 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 기저층을 성장하는 단계;상기 질화물 기저층 상에 단위 구조 사이의 거리가 실질적으로 일정한 다수의 단위 구조를 가지는 마스크층을 형성하는 단계; 및상기 마스크층 상에 a-면 질화물계 반도체를 포함하는 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 단위 구조의 형상은, 삼각형, 사각형, 육각형, 및 일정 폭을 가지는 화살표 형상인 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 마스크층 상에 질화물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 마스크층 상에 공기 간극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 질화물 기저층을 제거하고, 상기 공기 간극을 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 마스크층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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