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제1 도전성 타입의 반도체 기판;상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 가지고, 상기 반도체 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;상기 반도체 기판의 후면에 위치하며 상기 반도체 기판의 후면 일부를 노출하는 복수의 비아홀을 구비하는 보호막;상기 에미터부와 연결되어 있는 제1 전극; 그리고,상기 보호막의 후면에 위치하며, 상기 비아홀을 통해 상기 반도체 기판과 연결된 제2 전극을 포함하며,상기 보호막은 상기 반도체 기판 후면에 순차적으로 적층되며 서로 동일한 물질을 각각 포함하는 제1 보호막 및 제2 보호막을 포함하고, 상기 서로 동일한 물질은 비정질 실리콘이며, 상기 제1 보호막은 비정질 실리콘막으로 이루어지고, 상기 제1 보호막의 후면에 위치하는 상기 제2 보호막은 비정질 실리콘 질화막으로 이루어지는 태양 전지
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제1항에서, 상기 보호막은 상기 반도체 기판의 후면과 상기 제1 보호막 사이에 위치하며 실리콘 산화막으로 이루어진 제3 보호막을 더 포함하는 태양 전지
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제1항에서, 상기 제1 보호막의 두께는 50㎚ 내지 100㎚이고, 상기 제1 보호막의 굴절률은 3
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제1항에서,상기 제2 보호막의 두께는 10㎚ 내지 50㎚이고, 상기 제2 보호막의 굴절률은 1
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제2항에서,상기 제3 보호막의 두께는 50㎚ 내지 200㎚이고, 상기 제3 보호막의 굴절률은 1
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6
제1항에서,상기 제2 보호막의 굴절률(c)에 대한 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/c)은 1
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제2항에서,상기 제3 보호막의 굴절률(a)에 대한 상기 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/a)은 2 내지 3인 태양 전지
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8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서, 상기 기판의 두께는 60㎛ 내지 140㎛인 태양 전지
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 에미터부 위에 반사방지막을 더 포함하는 태양 전지
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 제2 전극에 접하는 부분의 상기 기판에는 후면 전계부가 위치하는 태양 전지
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제1 도전성 타입을 갖는 기판에 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부를 형성하는 단계;상기 기판의 후면에 복수의 비아홀을 구비하는 다층 구조의 보호막을 형성하는 단계; 그리고,상기 에미터부와 연결된 제1 전극과, 상기 보호막의 상기 복수의 비아홀을 통해 상기 기판과 연결된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 다층 구조의 보호막을 형성하는 단계는 서로 동일한 물질을 각각 포함하는 제1 보호막 및 제2 보호막을 상기 기판의 후면에 순차적으로 형성하는 단계를 포함하며,상기 서로 동일한 물질은 비정질 실리콘이고,상기 제1 보호막은 비정질 실리콘막으로 형성하고,상기 제2 보호막은 비정질 실리콘 질화막으로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제11항에서,상기 다층 구조의 보호막을 형성하는 단계는상기 제1 보호막을 형성하기 전, 상기 기판의 후면에 실리콘 산화물로 이루어진 제3 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제11항에서, 상기 제1 보호막을 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제11항에서, 상기 제2 보호막을 10㎚ 내지 50㎚의 두께로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제12항에서,상기 제3 보호막을 50㎚ 내지 200㎚의 두께로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제11항에서,상기 제1 보호막 및 상기 제2 보호막은 상기 제2 보호막의 굴절률(c)에 대한 상기 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/c)이 1
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제12항에서,상기 제3 보호막 및 상기 제1 보호막은 상기 제3 보호막의 굴절률(a)에 대한 상기 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/a)이 2 내지 3이 되도록 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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