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태양 전지
- 기술번호 : KST2015064610
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은 태양 전지에 관한 것이다.본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 제 1 도전성 타입의 불순물이 도핑된 기판; 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부; 에미터부 상부에 위치하는 반사 방지부; 에미터부와 전기적으로 연결되어 있는 전면 전극부; 기판에 전기적으로 연결되어 있는 후면 전극부;를 포함하고, 기판은 단결정 실리콘 영역인 제 1 영역과 다결정 실리콘 영역인 제 2 영역을 포함하고, 제 1 영역의 상부에 위치하는 반사 방지부의 두께는 제 2 영역의 상부에 위치하는 반사 방지부의 두께보다 작다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020110075680 (2011.07.29) |
| 출원인 | 엘지전자 주식회사 |
| 등록번호/일자 | 10-1223033-0000 (2013.01.10) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20130117) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.07.29) |
| 심사청구항수 | 18 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 엘지전자 주식회사 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 양주홍 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 김진아 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 3 | 남정범 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 4 | 양두환 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 5 | 정인도 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 6 | 정일형 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 7 | 권형진 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인로얄 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 엘지전자 주식회사 | 서울특별시 영등포구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.07.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0587934-46 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.05.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.06.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0051153-11 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.07.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0413031-34 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.08.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0677777-42 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.08.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0677778-98 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.12.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0765173-19 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5068349-97 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5118228-40 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제 1 도전성 타입의 불순물이 도핑된 기판; 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;상기 에미터부 상부에 위치하는 반사 방지부;상기 에미터부와 전기적으로 연결되어 있는 전면 전극부;상기 기판에 전기적으로 연결되어 있는 후면 전극부;를 포함하고,상기 기판은 단결정 실리콘 영역인 제 1 영역과 다결정 실리콘 영역인 제 2 영역을 포함하고,상기 제 1 영역의 상부에 위치하는 상기 반사 방지부의 두께는 상기 제 2 영역의 상부에 위치하는 상기 반사 방지부의 두께보다 작은 태양 전지 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역의 상부에 위치하는 상기 반사 방지부 두께는 상기 제 2 영역의 상부에 위치하는 상기 반사 방지부 두께의 60% ~ 80% 사이인 태양 전지 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 기판에서 상기 제 1 영역의 입사면은 피라미드 형태의 복수 개의 요철 형상을 갖고, 상기 기판에서 상기 제 2 영역의 입사면은 피라미드 형태의 요철 형상을 갖지 않는 태양 전지 |
| 4 |
4 제 3 항에 있어서,상기 기판의 제 1 영역에 형성된 상기 피라미드 형태의 요철 형상은 상부 꼭지점 사이들의 간격이 3㎛이하이고, 상기 피라미드의 높이가 4㎛이하인 태양 전지 |
| 5 |
5 제 3 항에 있어서,상기 제 1 영역의 상부에 위치하는 상기 에미터부의 입사면은 피라미드 형태의 복수 개의 요철 형상을 갖고, 상기 제 2 영역의 상부에 위치하는 상기 에미터부의 입사면은 피라미드 형태의 요철 형상을 갖지 않는 태양 전지 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,상기 제 1 영역의 상부에 위치하는 상기 에미터부의 두께는 상기 제 2 영역의 상부에 위치하는 상기 에미터부의 두께와 동일한 태양 전지 |
| 7 |
7 제 3 항에 있어서,상기 제 1 영역의 상부에 위치하는 상기 반사 방지부의 입사면은 피라미드 형상의 요철을 갖고, 상기 제 2 영역의 상부에 위치하는 상기 반사 방지부의 입사면은 피라미드 형상의 요철을 갖지 않는 태양 전지 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역에서 상기 반사 방지부는 70㎚ 내지 110㎚의 두께를 갖고, 상기 제 2 영역에서 상기 반사 방지부는 100㎚ 내지 140㎚의 두께를 갖는 태양 전지 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 반사 방지부는 상기 에미터부와 접하여 상기 에미터부의 바로 상부에 위치하는 제 1 반사 방지막과 상기 제 1 반사 방지막과 접하여 상기 제 1 반사 방지막의 바로 상부에 위치하는 제 2 반사 방지막을 포함하는 태양 전지 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 제 1 영역에 위치하는 상기 제 1 반사 방지막은 30㎚ 내지 50㎚의 두께를 갖고, 상기 제 1 영역에 위치하는 상기 제 2 반사 방지막은 40㎚ 내지 60㎚의 범위에서 상기 제1 영역에 위치하는 상기 제1 반사 방지막 보다 두껍게 형성되는 태양 전지 |
| 11 |
11 제 9 항에 있어서,상기 제 2 영역에 위치하는 상기 제 1 반사 방지막은 40㎚ 내지 60㎚의 두께를 갖고, 상기 제 2 영역에 위치하는 상기 제 2 반사 방지막은 60㎚ 내지 80㎚의 두께를 갖는 태양 전지 |
| 12 |
12 제 9 항에 있어서,상기 제1 반사 방지막의 굴절률은 상기 제1 영역과 상기 제 2 영역에서 서로 동일하며, 상기 제2 반사 방지막의 굴절률은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에서 서로 동일한 태양 전지 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 제 1 반사 방지막의 제 1 굴절률은 상기 제 2 반사 방지막의 제 2 굴절률보다 큰 태양 전지 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 제 1 굴절률은 2 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서,상기 반사 방지부는 실리콘 질화막(SiOx)으로 이루어져 있는 태양 전지 |
| 16 |
16 제 1 항에 있어서,상기 기판의 제 2 영역은 상기 기판의 제 1 영역보다 평탄한 태양 전지 |
| 17 |
17 제 1 항에 있어서,상기 제 2 영역의 상부에 위치하는 상기 에미터부의 입사면은 상기 제 1 영역의 상부에 위치하는 상기 에미터부의 입사면보다 평탄한 태양 전지 |
| 18 |
18 제 1 항에 있어서,상기 제 2 영역의 상부에 위치하는 상기 반사 방지부의 입사면은 상기 제 1 영역의 상부에 위치하는 상기 반사 방지부의 입사면보다 평탄한 태양 전지 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102903768 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | EP02551915 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | US09166082 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | US09412885 | US | 미국 | FAMILY |
| 5 | US20130025656 | US | 미국 | FAMILY |
| 6 | US20160013330 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102903768 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN102903768 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | EP2551915 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 4 | US2013025656 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 5 | US2016013330 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 6 | US9166082 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 7 | US9412885 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-1223033-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110729 출원 번호 : 1020110075680 공고 연월일 : 20130117 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121217 청구범위의 항수 : 18 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 태양 전지 존속기간(예정)만료일 : 20200111 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 747,000 원 | 2013년 01월 11일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2015년 12월 24일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2016년 12월 14일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2017년 12월 14일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 784,000 원 | 2018년 12월 14일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.07.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0587934-46 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.05.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2012.06.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0051153-11 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2012.07.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0413031-34 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.08.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0677777-42 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.08.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0677778-98 |
| 7 | 등록결정서 | 2012.12.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0765173-19 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5068349-97 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5118228-40 |
| 기술번호 | KST2015064610 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | LG그룹 |
| 기술명 | 태양 전지 |
| 기술개요 |
본 발명은 태양 전지에 관한 것이다.본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 제 1 도전성 타입의 불순물이 도핑된 기판; 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부; 에미터부 상부에 위치하는 반사 방지부; 에미터부와 전기적으로 연결되어 있는 전면 전극부; 기판에 전기적으로 연결되어 있는 후면 전극부;를 포함하고, 기판은 단결정 실리콘 영역인 제 1 영역과 다결정 실리콘 영역인 제 2 영역을 포함하고, 제 1 영역의 상부에 위치하는 반사 방지부의 두께는 제 2 영역의 상부에 위치하는 반사 방지부의 두께보다 작다. |
| 개발상태 | |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415132785 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R0001258 |
| 연구과제명 | 고효율 결정질 실리콘 셀 공정장비 개발 및 양산화 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 산업통상자원부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201206~201504 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
특허성과
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