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상면에 제1 도전형 반도체층, 하면에 제2 도전형 반도체층, 그리고 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 가지고, 상기 하면이 상기 제2 도전형 반도체층이 노출되는 제1면과 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 제2면을 가지는 사각형의 발광 구조물,상기 발광 구조물의 제1면 및 제2면 위에 각각 형성되는 소자 패드,각각의 상기 소자 패드 위에 돌기부,상기 돌기부 위에 솔더볼, 상기 돌기부와 솔더볼을 덮으며 상기 솔더볼의 상면을 노출하는 절연기판, 그리고상기 절연기판 위에 상기 솔더볼의 상면을 덮는 기판패드를 포함하고, 상기 제1면 위의 상기 돌기부는 상기 발광구조물의 제1변에 근접하여 형성되고, 상기 제2면 위의 상기 돌기부는 상기 제1변과 반대되는 제2변에 근접하여 형성되는 발광소자 패키지
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제1항에 있어서,상기 돌기부는 상기 소자 패드의 일부 영역에만 형성되는 발광소자 패키지
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제1항에 있어서,상기 제1면 및 제2면에 형성되는 상기 돌기부는 제1 이격거리를 갖도록 배치되는 발광소자 패키지
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제1항에 있어서,상기 소자 패드는 적어도 2개의 적층 구조를 가지는 발광소자 패키지
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제7항에 있어서,상기 소자 패드는 상기 발광 구조물 위에 티타늄 합금층,상기 티타늄 합금층 위에 구리 합금층, 그리고상기 구리 합금층 위에 니켈 합금층을 포함하는 발광소자 패키지
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제8항에 있어서,상기 돌기부는 적어도 2개의 적층구조를 가지는 발광소자 패키지
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제9항에 있어서,상기 돌기부는 상기 소자 패드의 니켈 합금층 위에 형성되는 니켈 합금층, 그리고상기 니켈 합금층 위에 형성되는 금 합금층을 포함하는 발광소자 패키지
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제1항에 있어서,상기 제1면의 소자 패드와 상기 제2면의 소자패드는 서로 다른 두께를 가지는 발광소자 패키지
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기판 위에 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 가지며, 상면이 상기 제2 도전형 반도체층이 노출되는 제1면과 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 제2면을 갖도록 상기 2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 일부 식각하여 사각형의 발광 구조물을 형성하는 단계,상기 발광 구조물의 제1면 및 제2면 위에 소자 패드를 각각 형성하는 단계,상기 소자 패드 위에 돌기부를 형성하는 단계,상기 돌기부 위에 솔더 페이스트를 도포하고 금속볼을 솔더링하는 단계,상기 금속볼의 상면이 노출되도록 절연 물질을 상기 발광 구조물 위에 도포하는 단계, 그리고상기 금속볼 위에 기판 패드를 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1면 위의 상기 돌기부는 상기 발광구조물의 제1변에 근접하여 형성되고, 상기 제2면 위의 상기 돌기부는 상기 제1변과 반대되는 제2변에 근접하여 형성되는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 돌기부는 상기 소자패드의 일부 영역에만 형성하는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 소자 패드를 형성하는 단계는,상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 위에 제1 합금층을 형성하는 단계,상기 제1 합금층 위에 제2 합금층을 형성하는 단계, 그리고상기 제2 합금층 위에 제3 합금층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 제1 합금층은 티타늄 합금층, 제2 합금층은 구리 합금층, 그리고 상기 제3 합금층은 니켈 합금층으로 형성하는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 돌기부를 형성하는 단계는,상기 소자 패드의 니켈 합금층의 일부 영역 위에 니켈 합금층을 형성하는 단계, 그리고상기 니켈 합금층 위에 금 합금층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층 위의 상기 소자 패드 및 상기 돌기부의 두께는 상기 제2 도전형 반도체층 위의 상기 소자 패드 및 상기 돌기부의 두께와 다른 발광소자 패키지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 기판 패드 형성 후, 상기 발광 구조물의 상기 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조 방법
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