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질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015064650
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 상부에 2DEG층을 포함하는 질화물 반도체 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 장벽층; 상기 장벽층 상에 불연속적으로 위치하는 캡층; 상기 장벽층 및 캡층 중 적어도 어느 하나와 오믹 접촉되는 소스 및 드레인 전극; 및 상기 장벽층 및 캡층 중 적어도 어느 하나와 쇼트키 접촉되며, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하여 구성된다.
Int. CL	H01L 29/737 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020110073586 (2011.07.25)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-1259126-0000 (2013.04.22)
공개번호/일자	10-2013-0012406 (2013.02.04) 문서열기
공고번호/일자	(20130426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.07.25)
심사청구항수	15

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박진홍	대한민국	서울특별시 서초구
2	김광중	대한민국	서울특별시 서초구
3	장태훈	대한민국	서울특별시 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2	박영복	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2011-0572838-10
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.03.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.04.19	수리 (Accepted)	9-1-2012-0031432-97
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.09.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0580197-76
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.11.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0931338-15
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.11.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-0931339-50
7	등록결정서 Decision to grant	2013.03.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0154636-27
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 질화물 반도체 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하는 장벽층;상기 장벽층 상에 불연속적으로 위치하며, 상기 장벽층 면적의 30% 내지 70%를 덮는 캡층;상기 장벽층 및 캡층과 접촉되는 소스 및 드레인 전극; 및상기 장벽층 및 캡층과 접촉되며, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
2	2 제 1항에 있어서, 상기 캡층은, AlN 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
3	3 제 1항에 있어서, 상기 캡층은, 상기 장벽층 상에 불규칙적으로 분포되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
4	4 제 1항에 있어서, 상기 캡층은, 양자 점 형태인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
5	5 제 1항에 있어서, 상기 캡층은, 소자의 문턱 전압을 높이기 위한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
6	6 제 1항에 있어서, 상기 캡층의 두께 분포는, 0 nm 내지 3 nm인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
7	7 제 1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극은, Ti 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
8	8 제 1항에 있어서, 상기 게이트 전극은, Ni, Ir, Pd, 및 Pt 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
9	9 제 1항에 있어서, 상기 캡층은, 적어도 일부분에서 서로 이격되어 분포되는 다수의 기둥들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
10	10 제 9항에 있어서, 상기 기둥들은, 상기 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극에 덮인 기둥을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
11	11 제 1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극은, 상기 장벽층 및 캡층 중 적어도 어느 하나와 오믹 접촉되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
12	12 제 1항에 있어서, 상기 게이트 전극은, 상기 장벽층 및 캡층 중 적어도 어느 하나와 쇼트키 접촉되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
13	13 기판 상에 질화물 반도체 버퍼층을 형성하는 단계;상기 질화물 반도체 버퍼층 상에 장벽층을 형성하는 단계;성장 조건을 조절하여 상기 장벽층 상에 장벽층의 전체 면적의 30% 내지 70%를 덮는 불연속 형태의 캡층을 형성하는 단계;상기 장벽층 및 캡층과 접촉되는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 장벽층 및 캡층과 접촉되며, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
14	14 제 13항에 있어서, 상기 캡층은, 상기 장벽층 상에 불규칙적으로 분포되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
15	15 제 13항에 있어서, 상기 캡층은, AlN 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08592869	US	미국	FAMILY
2	US20130026450	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2013026450	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US2014054600	US	미국	DOCDBFAMILY
3	US8592869	US	미국	DOCDBFAMILY
4	US9276103	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1259126-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20110725 출원 번호 : 1020110073586 공고 연월일 : 20130426 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130305 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 29/737 발명의 명칭 : 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	630,000 원	2013년 04월 23일	납입
제 4 년분	금 액	370,000 원	2016년 03월 24일	납입
제 5 년분	금 액	370,000 원	2017년 03월 24일	납입
제 6 년분	금 액	370,000 원	2018년 03월 23일	납입
제 7 년분	금 액	670,000 원	2019년 03월 22일	납입
제 8 년분	금 액	670,000 원	2020년 03월 13일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2011-0572838-10
2	선행기술조사의뢰서	2012.03.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2012.04.19	수리 (Accepted)	9-1-2012-0031432-97
4	의견제출통지서	2012.09.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0580197-76
5	[명세서등 보정]보정서	2012.11.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0931338-15
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.11.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-0931339-50
7	등록결정서	2013.03.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0154636-27
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015064650
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법
기술개요	본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 상부에 2DEG층을 포함하는 질화물 반도체 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 장벽층; 상기 장벽층 상에 불연속적으로 위치하는 캡층; 상기 장벽층 및 캡층 중 적어도 어느 하나와 오믹 접촉되는 소스 및 드레인 전극; 및 상기 장벽층 및 캡층 중 적어도 어느 하나와 쇼트키 접촉되며, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하여 구성된다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

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[KST2015063541][LG그룹]	질화물 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 질화물 반도체 소자	새창보기

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