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기판;상기 기판에 배치되는 전면 전극;상기 전면 전극 상부에 배치되는 후면 전극; 및상기 전면 전극과 상기 후면 전극 사이에 배치되며, 광을 입사받아 전기로 변환하는 광전 변환부;를 포함하며,상기 전면 전극과 접하는 상기 기판의 표면은 제 1 폭을 갖는 복수의 제 1 함몰부와 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 복수의 제 2 함몰부를 포함하고,상기 복수의 제 1 함몰부는 격자 형태로 배열되며, 상기 복수의 제 2 함몰부는 상기 복수의 제 1 함몰부 사이에 고립되어 상기 제 1 함몰부의 격자 형태와 엇갈리도록 격자 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 기판을 평면에서 보았을 때, 상기 제 1 함몰부 및 상기 제 2 함몰부의 평면 형상은 사각형, 8각형, 원형, 타원형 중 적어도 하나의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 기판을 측면에서 보았을 때, 상기 제 1 함몰부 및 상기 제 2 함몰부의 측면 형상은 곡면을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 함몰부의 제 2 폭은 상기 제 1 함몰부의 제 1 폭 대비 0
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 함몰부의 제 1 폭은 5㎛ ~ 500㎛ 사이인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 함몰부의 제 2 폭은 2㎛ ~ 50㎛ 사이인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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7
제 1 항에 있어서,상기 전면 전극은 상기 기판과 접하는 면의 반대면에 복수 개의 요철을 포함하고,서로 이웃하는 요철들의 상부 꼭지점 사이의 간격은 상기 제 2 함몰부의 제 2 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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8
제 7 항에 있어서,상기 서로 이웃하는 요철들의 상부 꼭지점 사이의 간격은 상기 제 2 함몰부의 제 2 폭 대비 0
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9
제 7 항에 있어서,상기 서로 이웃하는 요철들의 상부 꼭지점 사이의 간격은 최대 2㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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10
제 5 항에 있어서,상기 제 1 함몰부의 최대 깊이는 상기 제 1 폭 대비 0
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제 6 항에 있어서,상기 제 2 함몰부의 최대 깊이는 상기 제 2 폭 대비 0
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12
제 7 항에 있어서,상기 요철들의 상부 꼭지점으로부터 상기 요철의 하부 골짜기까지의 높이는 최대 2㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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13
제 1 항에 있어서,상기 전면 전극의 최대 두께는 0
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 P형 반도체층, 진성(i) 반도체층, 및 n형 반도체층을 포함하는 p-i-n 구조가 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 14 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 게르마늄(Ge)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 14 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 비정질 실리콘(a-si) 또는 미세 결정 실리콘(mc-si) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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17
제 1 항에 있어서,상기 후면 전극은 적어도 하나 이상의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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제 17 항에 있어서,상기 후면 전극은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
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