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메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015064708
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 카드용 인쇄회로기판은, 메모리 카드용 인쇄회로기판에 있어서, 절연층; 상기 절연층의 제 1 면에 형성되고, 메모리 소자와 전기적으로 연결되는 실장부; 및 상기 절연층의 제 2 면에 형성되며, 외부의 전자기기와 전기적으로 연결되는 단자부를 포함하며, 상기 실장부 및 단자부의 표면에는 동일한 금속층이 형성되어 있다.
Int. CL H05K 3/18 (2006.01) H05K 1/02 (2006.01) H05K 3/06 (2006.01)
CPC H05K 1/11(2013.01) H05K 1/11(2013.01) H05K 1/11(2013.01) H05K 1/11(2013.01) H05K 1/11(2013.01)
출원번호/일자 1020110074737 (2011.07.27)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1251802-0000 (2013.04.01)
공개번호/일자 10-2013-0013216 (2013.02.06) 문서열기
공고번호/일자 (20130409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.27)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조윤경 대한민국 서울특별시 중구
2 김애림 대한민국 서울특별시 중구
3 박창화 대한민국 서울특별시 중구
4 엄새란 대한민국 서울특별시 중구
5 임설희 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0581996-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0031668-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0414869-45
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0754416-15
6 등록결정서
Decision to grant
2013.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0057761-28
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메모리 카드용 인쇄회로기판에 있어서,절연층;상기 절연층의 제 1 면에 형성되고, 메모리 소자와 전기적으로 연결되는 실장부; 및상기 절연층의 제 2 면에 형성되며, 외부의 전자기기와 전기적으로 연결되는 단자부를 포함하며,상기 실장부 및 단자부의 표면에는 동일한 금속층이 형성되어 있는 메모리 카드용 인쇄회로기판
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속층은,니켈을 포함하는 금속으로 형성된 제 1 금속층과,팔라듐을 포함하는 금속으로 형성된 제 2 금속층과,금을 포함하는 금속으로 형성된 제 3 금속층을 포함하는 메모리 카드용 인쇄회로기판
3 3
제 2항에 있어서,상기 제 1 금속층은, 5~8㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성되고,상기 제 2 금속층은, 0
4 4
제 2항에 있어서,상기 제 2 금속층은,75~99
5 5
제 2항에 있어서,상기 제 2 금속층은,75~85 중량%의 팔라듐과 15~25 중량%의 니켈을 포함하는 팔라듐-니켈 합금층인 메모리 카드용 인쇄회로기판
6 6
제 5항에 있어서,상기 제 2 금속층은,300Hv~600Hv 범위의 경도를 만족하는 메모리 카드용 인쇄회로기판
7 7
제 2항에 있어서,상기 제 3 금속층은,순수 금층 또는 금-은 합금, 금-구리 합금, 금-팔라듐 합금, 금-아연 합금, 금-코발트 합금 및 금-무기물 합금 중 적어도 어느 하나로 형성된 금합금층인 메모리 카드용 인쇄회로기판
8 8
제 7항에 있어서,상기 금합금층은 80~99
9 9
절연층을 포함하는 인쇄회로기판과, 상기 인쇄회로기판의 제 1면의 일정 영역에 실장되는 메모리 소자와, 상기 메모리 소자와 전기적으로 연결되는 제 1 패턴을 포함하고, 상기 인쇄회로기판의 제 2면에 형성되어 외부의 전자기기와 전기적으로 연결되는 제 2 패턴을 포함하는 인쇄회로기판을 포함하는 메모리 카드에 있어서,상기 제 1 패턴의 표면에는 금속 물질을 도금하여 형성된 적어도 하나의 금속층을 포함하며,상기 제 2 패턴의 표면에는 상기 제 1 패턴의 표면에 형성된 금속층과 동일한 금속층이 형성되어 있는 메모리 카드
10 10
제 9항에 있어서,상기 금속층은, 5~8㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성되는 순수 니켈층 또는 니켈 합금층과, 0
11 11
제 10항에 있어서,상기 팔라듐 합금층은, 75~99
12 12
제 10항에 있어서,상기 팔라듐 합금층은,75~85 중량%의 팔라듐 및 15~25 중량%의 니켈로 형성되는 메모리 카드
13 13
제 10항에 있어서,상기 금 합금층은,75~99
14 14
메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서,상면 및 하면에 금속 박막이 형성된 절연층을 준비하는 단계;상기 절연층의 상면 및 하면에 형성된 금속 박막을 선택적으로 제거하여 상기 절연층의 상면에 실장부 및 상기 절연층의 하면에 단자부를 형성하는 단계;상기 절연층의 상면 및 하면에 상기 실장부 및 단자부의 표면을 노출하는 포토 솔더 레지스트를 선택적으로 형성하는 단계; 및상기 노출된 실장부 및 단자부의 표면에 동일한 금속 물질을 도금하여 표면 처리하는 단계를 포함하는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법
15 15
제 14항에 있어서,상기 표면 처리하는 단계는,상기 포토 솔더 레지스트가 형성되지 않은 실장부 및 단자부 위에 니켈을 포함하는 제 1 금속층을 형성하는 단계와,상기 제 1 금속층 위에 팔라듐을 포함하는 제 2 금속층을 형성하는 단계와,상기 제 2 금속층 위에 금을 포함하는 제 3 금속층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법
16 16
제 14항에 있어서,상기 표면 처리에 의해 상기 실장부 및 단자부의 최 외각에 형성된 금속층은 서로 동일한 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법
17 17
제 15항에 있어서,상기 제 1 금속층을 형성하는 단계는,니켈을 포함하는 금속 물질을 도금하여, 5~8㎛ 범위를 만족하는 두께를 가진 제 1 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법
18 18
제 15항에 있어서,상기 제 2 금속층을 형성하는 단계는,75~99
19 19
제 15항에 있어서,상기 제 2 금속층을 형성하는 단계는,75~85% 함량의 팔라듐 및 15~25% 함량의 니켈을 포함하는 합금을 제 1 금속층 위에 도금하는 단계를 포함하는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법
20 20
제 15항에 있어서,상기 제 3 금속층을 형성하는 단계는,순수 금 또는 75~99
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.