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포토 다이오드가 형성되는 화소 영역과 상기 화소 영역과 이웃하게 형성되는 로직 영역을 포함하는 이미지 센서에 있어서,상기 포토다이오드를 포함하는 반도체 기판 상에 적층되는 복수의 절연층 및 각각의 상기 절연층에 형성되는 복수의 금속배선층,상기 복수의 절연층에 형성되며, 상기 포토다이오드 위에 형성되는 트렌치,상기 트렌치의 측면에 형성되는 반사층,상기 트렌치를 매립하는 컬러필터, 상기 컬러필터 위에 평탄화층, 그리고상기 평탄화층 위에 형성되는 마이크로렌즈를 포함하며,상기 트렌치는상기 화소 영역의 전면에 형성되며, 상기 화소 영역의 상기 금속배선층을 노출하지 않도록 형성되는 제1 트렌치, 그리고상기 제1 트렌치 내에 상기 포토다이오드와 나란하게 형성되는 제2 트렌치를 포함하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 화소 영역의 상기 금속배선층은 상기 로직 영역의 금속배선층보다 작은 층의 수효를 가지는 이미지 센서
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제2항에 있어서,상기 트렌치는 상기 포토다이오드보다 큰 면적을 가지는 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 제2 트렌치의 바닥면은 최하부에 형성되는 상기 금속배선층보다 낮으며, 상기 포토다이오드보다 높은 위치에 형성되는 이미지 센서
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제5항에 있어서,상기 포토다이오드의 상면으로부터 상기 제2 트렌치의 바닥면까지의 거리는적어도 30nm 이상인 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 반사층은 텅스텐 합금으로 형성되는 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 반사층을 덮으며 상기 화소 영역 및 상기 로직 영역의 전면에 형성되는패시베이션층을 더 포함하는 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 컬러필터는 상기 제2 트렌치의 소정 높이까지 형성되는 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 제2 트렌치는 바닥면에 대하여 수직인 측면을 가지는 이미지 센서
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포토다이오드를 구비한 반도체 기판 상에 복수의 절연층 및 각각의 상기 절연층에 복수의 금속배선층을 각각 형성하는 단계,상기 절연층을 식각하여 상기 포토다이오드 위에 트렌치를 형성하는 단계,상기 트렌치의 측면에 반사층을 형성하는 단계, 상기 트렌치를 매립하며 컬러필터를 형성하는 단계,상기 컬러필터를 포함하여 상기 반도체 기판 전면 상에 평탄화층을 형성하는 단계, 그리고상기 평탄화층 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하며,상기 트렌치를 형성하는 단계는,상기 트렌치가 상기 포토 다이오드가 형성되는 화소 영역의 전면에 형성되며, 상기 화소 영역의 상기 금속배선층을 노출하지 않도록 형성되는 제1 트렌치, 그리고 상기 제1 트렌치 내에 상기 포토다이오드와 나란하게 형성되는 제2 트렌치를 포함하도록 형성하는 이미지 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 트렌치를 형성하는 단계는,화소 영역을 선택적으로 식각하여 상기 제2 트렌치를 형성하는 단계, 그리고상기 제2 트렌치 내에 상기 포토다이오드 위에 상기 포토다이오드보다 넓은폭을 가지는 상기 제1 트렌치를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 반사층을 형성하는 단계는,상기 반도체기판 전면에 텅스텐합금재를 데포지션하는 단계, 그리고데포지션된 상기 텅스텐 합금재를 전면식각하여 상기 트렌치의 측면에만 선택적으로 상기 반사층을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 반사층을 형성한 뒤,상기 반도체 기판 전면에 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물을 데포지션하여패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 제1 트렌치는 바닥면에 대하여 소정 각도로 기울어져 있는 측면을 갖도록 형성하는 이미지 센서의 제조방법
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포토다이오드;상기 포토다이오드의 전위를 부유확산층으로 전달하는 트랜스퍼 트랜지스터;선택신호에 따라 상기 부유확산층의 데이터를 출력하는 셀렉트 트랜지스터;및상기 포토다이오드 상부에 위치하여 상기 포토다이오드에 광을 전달하는 컬러필터를 포함하며,상기 컬러필터는,상기 포토다이오드 위의 절연층에 형성되는 트렌치 내에 배치되고,상기 트렌치는 상기 포토 다이오드가 형성되는 화소 영역의 전면에 형성되는 제1 트렌치, 그리고 상기 제1 트렌치 내에 상기 포토다이오드와 나란하게 형성되는 제2 트렌치를 포함하며, 상기 제2 트렌치의 측면에 반사부가 형성되어 있는 이미지 센서
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제16항에 있어서,상기 이미지 센서는 상기 부유확산층을 리셋하는 리셋 트랜지스터를 더 포함하는 이미지 센서
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제17항에 있어서,상기 이미지 센서는 상기 트랜스퍼 트랜지스터, 셀렉트 트랜지스터 및 상기 리셋 트랜지스터와 연결되는 회로패턴이 형성되어 있는 상기 절연층을 더 포함하는 이미지 센서
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제16항에 있어서,상기 반사부는 텅스텐을 포함하는 이미지 센서
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