| 1 |
1
제1 도전성 타입을 갖는 기판,상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부,상기 기판의 측면 위, 그리고 상기 기판의 전면 및 후면 중 적어도 하나 위에 위치한 패시베이션부,상기 에미터부에 연결되어 있는 제1 전극, 그리고 상기 기판에 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고,상기 패시베이션부는 알루미늄 산화물로 이루어져 있고, 10㎚ 내지 30㎚의 두께를 갖고,상기 기판의 후면과 상기 제2 전극 사이에 상기 패시베이션부가 위치하며,상기 기판의 후면 위에 위치하는 상기 패시베이션부와 상기 제2 전극 사이에 보호막이 더 형성되며,상기 제2 전극은 상기 패시베이션부와 상기 보호막에 형성된 개구부를 통해 상기 기판과 연결되어 있는 태양 전지
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에서, 상기 기판의 측면 위에 위치한 패시베이션부와 상기 기판의 전면 및 후면 중 적어도 하나 위에 위치한 패시베이션부의 두께는 서로 동일한 태양 전지
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에서, 상기 패시베이션부는 1
|
| 6 |
6
제1항에서,상기 패시베이션부는 상기 기판의 상기 측면 위, 상기 기판의 상기 전면 위와 상기 제1 전극 사이 그리고 상기 기판의 상기 후면 위와 상기 제2 전극 사이에 위치하는 태양 전지
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에서,상기 보호막은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물로 이루어져 있는 태양 전지
|
| 9 |
9
제8항에서,상기 보호막이 상기 실리콘 질화물로 이루어질 때 상기 보호막의 두께는 상기 보호막이 상기 실리콘 산화물로 이루어질 때 상기 보호막의 두께보다 얇은 태양 전지
|
| 10 |
10
제8항에서,상기 보호막이 상기 실리콘 질화물로 이루어질 때, 상기 보호막은 50㎚ 내지 100㎚의 두께를 갖는 태양 전지
|
| 11 |
11
제8항에서,상기 보호막이 상기 실리콘 산화물로 이루어질 때, 상기 보호막은 70㎚ 내지 150㎚의 두께를 갖는 태양 전지
|
| 12 |
12
제8항에서,상기 보호막이 실리콘 질화물로 이루어질 경우, 상기 보호막은 2
|
| 13 |
13
제8항에서,상기 보호막이 실리콘 산화물로 이루어질 경우, 상기 보호막은 1
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
제6항에서,상기 기판의 상기 전면과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 상기 패시베이션부는 상기 에미터부 바로 위에 위치하고,상기 태양 전지는 상기 패시베이션부 바로 위에 위치하는 반사 방지부를 더 포함하며,상기 제1 전극은 상기 반사 방지부와 상기 패시베이션부를 차례로 관통하여 상기 에미터부와 연결되는 태양 전지
|
| 16 |
16
제15항에서,상기 반사 방지부는 실리콘 질화물로 이루어져 있는 태양 전지
|
| 17 |
17
제15항에서,상기 반사 방지부는 상기 패시베이션부의 두께보다 두꺼운 두께를 갖는 태양 전지
|
| 18 |
18
제6항에서, 상기 에미터부 바로 위에 위치하는 반사 방지부를 더 포함하고,상기 기판의 상기 전면과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 상기 패시베이션부는 상기 반사 방지부 바로 위에 위치하며, 상기 제1 전극은 상기 패시베이션부와 상기 반사 방지부를 차례로 관통하여 상기 에미터부와 연결되는 태양 전지
|
| 19 |
19
제18항에서,상기 반사 방지부는 실리콘 질화물로 이루어져 있는 태양 전지
|
| 20 |
20
제18항에서,상기 반사 방지부는 상기 패시베이션부의 두께보다 두꺼운 두께를 갖는 태양 전지
|
