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기판 상에 차례로 적층된 제 1 전극, 유기발광층, 및 제 2 전극을 포함하되,상기 제 1 전극 상에 제 1 방향으로 신장되고 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 배열된 복수개의 제 1 스트립 라인들을 갖는 금속 박막층을 포함하는 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 스트립 라인들 각각은 그 평면이 직사각형 형상을 가지는 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 금속 박막층은 상기 제 1 전극 상에 상기 제 2 방향으로 신장되고 상기 제 1 방향으로 배열되며 상기 제 1 스트립 라인들을 연결하는 제 2 스트립 라인들을 더 포함하는 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 금속 박막층은 상기 유기발광층에서 생성된 광의 스펙트럼을 변화시키는 마이크로 캐비티 효과(Microcavity Effect)를 유발하는 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 금속 박막층은 Ag, Au, Cu, Pt, Ni, Cr, Pd, Mg, Cs, Ca, Sn, Sb, Pb 또는 이들의 조합을 포함하는 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 금속 박막층은 투명도가 60% 이상이고 두께가 2nm 내지 5 nm 인 금속을 포함하는 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 형성되고 상기 금속 박막층과 전기적으로 연결되는 전극패드를 더 포함하되,상기 전극패드는 상기 제 1 전극과 이격되는 유기발광 다이오드
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제 7 항에 있어서,상기 전극패드는 상기 기판 상의 상기 제 1 전극이 형성되지 않은 영역에 형성되는 유기발광 다이오드
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제 7 항에 있어서,상기 전극패드는 상기 기판 상에 복수개가 대칭적으로 형성되는 유기발광 다이오드
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제 7 항에 있어서,상기 전극패드를 통해 상기 금속 박막층에 전압을 인가하여 방출되는 광의 파장대별 스펙트럼의 강도를 조절하는 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 유기발광층은 보조층을 더 포함하되, 상기 보조층은 정공주입층(hole injecting layer), 정공수송층(hole transfer layer), 전자수송층(electron transfer layer), 또는 전자주입층(electron injecting layer) 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드
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