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지지기판 상에 배치되는 후면전극층;상기 후면전극층 상에 배치되며, 돌기패턴을 포함하는 광경로 변경층;상기 광경로 변경층 상에 배치되는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고,상기 돌기패턴은 서로 대향하는 제 1 경사면 및 제 2 경사면을 포함하고,상기 제 1 경사면 및 상기 제 2 경사면의 기울기 각각은 30 °내지 55 °인태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 돌기패턴은 상기 지지기판에 대하여 경사지는 경사면을 포함하는 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 돌기패턴은 서로 대향하는 제 1 경사면 및 제 2 경사면을 포함하는 것인 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 돌기패턴은 피라미드 형상을 가지는 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 돌기패턴의 높이는 30 nm 내지 100 nm 인 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 광경로 변경층은 상기 후면전극층 상에 배치되는 베이스층 및 상기 후면전극층 상에 배치되는 상기 돌기 패턴을 포함하는 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 광경로 변경층은 산화아연, 산화인듐(ITO: Indiun tin oxide), 산화주석 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 광경로 변경층의 두께는 10 nm 내지 100 nm 인 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 광경로 변경층은 Ⅴ족 원소, 전이금속 원소, 알칼리 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 도펀트에 의해 도핑된 태양전지
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제 9 항에 있어서, 상기 Ⅴ족 원소는 질소, 인, 비소 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 태양전지
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제 9 항에 있어서,상기 전이금속 원소는 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 태양전지
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제 9 항에 있어서, 상기 도펀트 농도는 1
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제 1 항에 있어서, 상기 광경로 변경층은 투명한 것인 태양전지
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지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광경로 변경층을 형성하고, 상기 광경로 변경층을 식각하여 돌기패턴을 형성하는 단계;상기 돌기패턴을 포함하는 광경로 변경층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 돌기패턴은 서로 대향하는 제 1 경사면 및 제 2 경사면을 포함하고,상기 제 1 경사면 및 상기 제 2 경사면의 기울기 각각은 30 °내지 55 °인태양전지의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 돌기패턴을 형성하는 단계는 상기 광경로 변경층을 습식 식각 또는 건식 식각 하는 것을 포함하는 태양전지의 제조 방법
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