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결정질 반도체로 이루어지고 제1 도전성 타입을 갖는 기판,상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부,상기 에미터부와 이격되어 있고, 상기 제1 도전성 타입을 갖는 제1 전계부,상기 에미터부와 연결되어 있는 제1 전극, 그리고상기 제1 전계부와 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고,상기 에미터부와 상기 제1 전계부 중 적어도 하나는 상기 기판 위에 위치하고 비결정질 반도체로 이루어진 제1 부분과 상기 제1 부분과 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 사이에 위치하고 결정질 반도체로 이루어진 제2 부분을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나와 접하는 상기 제2 부분의 표면은 복수의 돌출부를 갖는 요철면을 갖는 태양 전지
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제1항에서,상기 제2 부분은 1
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3
제1항에서,상기 제2 부분은 10 vol% 내지 90 vol%의 결정화도를 갖는 태양 전지
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4
제1항에서,상기 돌출부는 15㎚ 내지 40㎚의 최대 거리를 갖는 태양 전지
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5
제1항에서,상기 제2 부분의 상기 결정질 반도체는 마이크로(micro) 결정질 실리콘 또는 나노(nano) 결정질 실리콘으로 이루어져 있는 태양 전지
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6
제1항에서,상기 제1 부분은 3㎚ 내지 10㎚ 의 두께를 갖는 태양 전지
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7
제1항 또는 제6항에서,상기 제2 부분은 3㎚ 내지 50㎚ 의 두께를 갖는 태양 전지
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8
제1항에서,상기 에미터부와 상기 제1 전계부는 각각 상기 기판 위에 위치하고 비결정질 반도체로 이루어진 제1 부분과 상기 제1 부분 위에 위치하고 결정질 반도체로 이루어진 제2 부분을 포함하고,상기 에미터부의 상기 제2 부분의 두께와 상기 제1 전계부의 상기 제2 부분의 두께는 서로 상이한 태양 전지
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9
제8항에서,상기 제1 도전성 타입이 n형일 때, 상기 제1 전계부의 상기 제2 부분의 두께는 상기 에미터부의 상기 제2 부분의 두께보다 얇은 태양 전지
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10
제1항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 투명한 도전성 물질로 이루어져 있는 태양 전지
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제1항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 위에 각각 위치하고 도전성 물질로 이루어져 있는 제3 전극과 제4 전극을 더 포함하는 태양 전지
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12
제1항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 도전성 금속 물질로 이루어져 있는 태양 전지
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13
제1항에서,상기 에미터부와 상기 기판 사이 그리고 상기 제1 전계부와 상기 기판 사이에 비결정질 반도체로 이루어진 제1 버퍼부를 더 포함하는 태양 전지
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14
제1항 또는 제13항에서,상기 에미터부와 상기 제1 전계부는 상기 기판의 입사면의 반대편에 위치하는 상기 기판의 면 위에 위치하는 태양 전지
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15
제14항에서,상기 기판의 상기 입사면 위에 위치하고 비결정질 반도체로 이루어진 제2 버퍼부를 더 포함하는 태양 전지
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16
제15항에서,상기 제2 버퍼부 위에 위치하고 상기 제1 도전성 타입을 갖는 제2 전계부를 더 포함하는 태양 전지
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제16항에서,상기 제2 전계부 위에 위치하는 반사 방지부를 더 포함하는 태양 전지
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