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제1 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판;상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 가지는 제1 불순물이 도핑되고, 상기 기판의 일면 상에 위치하는 에미터층;상기 에미터층과 접속하는 복수의 전면 핑거라인;상기 일면과 대향하는 상기 기판의 타면에 형성되며, 상기 제1 도전형을 가지는 제2 불순물이 도핑된 후면 전계층; 및상기 후면 전계층과 접속하는 복수의 후면 핑거라인;을 포함하고,상기 전면 핑거라인의 개수와 상기 후면 핑거라인의 개수가 다르고,상기 전면 핑거라인과 상기 후면 핑거라인이 서로 오버랩되지 않으며,상기 기판은 N형이고, 상기 후면 전계층의 두께가 상기 에미터층의 두께보다 두꺼운 태양전지
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제1항에 있어서,상기 에미터층은 상기 복수의 전면 핑거라인과 접하는 제1 영역과, 상기 제1 영역 사이에 위치하고, 상기 제1 영역보다 도핑 농도가 작은 제2 영역을 포함하고, 상기 후면 전계층은 상기 복수의 후면 핑거라인과 접하는 제3 영역과, 상기 제3 영역 사이에 위치하고, 상기 제3 영역보다 도핑 농도가 작은 제4 영역을 포함하는 태양전지
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제2항에 있어서,상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께보다 두꺼우며, 상기 제3 영역의 두께가 상기 제4 영역의 두께보다 두꺼운 태양전지
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6
제2항에 있어서상기 제2 영역의 두께가 상기 제1 영역의 두께보다 두꺼우며, 상기 제4 영역의 두께가 상기 제3 영역의 두께보다 두꺼운 태양전지
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7
제1항에 있어서,상기 에미터층 및 상기 후면 전계층 중 적어도 어느 하나는 상기 기판의 모서리와 이격되어 형성된 태양전지
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8
제7항에 있어서,상기 에미터층 및 상기 후면 전계층 중 적어도 어느 하나와 상기 모서리간의 이격거리는 2~300㎛인 태양전지
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9
제1항에 있어서,상기 후면 핑거라인의 수가 상기 전면 핑거라인의 수보다 많은 태양전지
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제1항에 있어서,상기 에미터층 상의 제1 반사방지막과 상기 후면 전계층 상의 제2 반사방지막을 포함하는 태양전지
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11
N형 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판의 일면 전체에 P형 도전형을 가지는 제1 불순물을 이온 주입하여 제1 불순물층을 이온 주입하여 제1 불순물층을 형성하는 단계;상기 일면에 대향하는 기판의 타면에 상기 N형 도전형을 가지는 제2 불순물을 이온 주입하여 제2 불순물층을 형성하는 단계; 상기 제1 불순물층 및 상기 제2 불순물층을 동시에 열처리 하여, 상기 제1 불순물 및 상기 제2 불순물을 활성화하여 동시에 각각 에미터층 및 상기 에미터층의 두께보다 두꺼운 후면 전계층을 형성하는 단계상기 에미터층과 접하는 복수의 전면 핑거라인을 형성하는 단계; 및상기 후면 전계층과 접하는 복수의 후면 핑거라인을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 전면 핑거라인의 개수와 상기 후면 핑거라인의 개수가 다르고,상기 전면 핑거라인과 상기 후면 핑거라인이 서로 오버랩되지 않는 태양전지 제조방법
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제11항에 있어서,상기 에미터층 상에 제1 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 후면 전계층 상에 제2 반사방지막을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법
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제11항에 있어서,상기 에미터층과 접하는 복수의 제1 핑거라인을 형성하는 단계; 및상기 후면 전계층과 접하는 복수의 제2 핑거라인을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법
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제14항에 있어서,상기 에미터층은 상기 복수의 전면 핑거라인과 접하는 제1 영역과, 상기 제1 영역 사이에 위치하고, 상기 제1 영역보다 도핑 농도가 작은 제2 영역을 포함하며, 상기 후면 전계층은 상기 복수의 후면 핑거라인과 접하는 제3 영역과, 상기 제3 영역 사이에 위치하고, 상기 제3 영역보다 도핑 농도가 작은 제4 영역을 포함하는 태양전지 제조방법
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제11항에 있어서,상기 후면 전계층은 상기 기판 후면의 모서리와 이격되어 형성되는 태양전지 제조방법
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제18항에 있어서,상기 후면 전계층과 상기 모서리간의 이격거리는 2~300㎛인 태양전지 제조방법
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