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기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 산화물층 및 절연층을 연속 증착한 다음, 마스크 공정을 진행하여 제1 감광막패턴을 형성하고, 이를 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 채널층 및 절연층패턴을 형성하는 단계;상기 채널층이 형성된 기판 상에 포토레지스트를 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 상기 절연층패턴 상에 제2 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 제2 감광막패턴을 마스크로 식각 공정을 진행하여 채널층 상에 에치스톱퍼를 형성하는 단계; 및상기 에치스톱퍼가 형성된 기판 상에 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2감광막패턴은 기판의 배면으로부터 조사되는 광에 의해 패터닝하는 배면 노광 공정에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 니켈(nickel; Ni), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo), 티타늄(titanium; Ti), 백금(platinum; Pt), 탄탈(tantalum; Ta)과 같은 불투명 도전물질들 중 어느 하나를 선택하여 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 불투명 도전물질들 중 어느 하나와 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)과 같은 투명 도전물질들 중에서 어느 하나를 선택하여 다층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리,니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈 중 어느 하나를 선택하여 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물층은 IGZO와 같은 물질인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 산화물층 및 절연층을 연속하여 증착한 다음, 상기 게이트 전극과 대응하는 절연층 상에 제1 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 제1 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 절연층을 식각하여 에치스톱퍼를 형성하는 단계;상기 에치스톱퍼가 형성된 기판 상에 금속층을 형성한 다음, 상기 기판의 전면에 포토레지스트를 형성하고, 회절 마스크 또는 하프톤 마스크를 이용하여 두께가 서로 다른 제2 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 제2 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 금속층과 산화물층을 식각하여 채널층을 형성하는 단계; 및상기 채널층이 형성된 기판 상에 에싱 공정을 진행하여 제3 감광막패턴을 형성하고, 이를 마스크로 하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 및 제2감광막패턴은 기판의 배면으로부터 조사되는 광에 의해 패터닝하는 배면 노광 공정에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 게이트 전극은 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 니켈(nickel; Ni), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo), 티타늄(titanium; Ti), 백금(platinum; Pt), 탄탈(tantalum; Ta)과 같은 불투명 도전물질들 중 어느 하나를 선택하여 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 불투명 도전물질들 중 어느 하나와 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)과 같은 투명 도전물질들 중에서 어느 하나를 선택하여 다층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리,니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈 중 어느 하나를 선택하여 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 산화물층은 IGZO와 같은 물질인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 상에 층간절연막을 형성한 다음, 유기발광다이오드가 형성될 영역과 대응되는 층간절연막 상에 컬러필터층을 형성하는 단계; 및상기 컬러필터층이 형성된 기판 상에 오버코트층을 형성하고, 상기 오버코트층 상에 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 콘택되는 제1 전극, 유기발광층 및 제2 전극으로 구성된 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하고,상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는,기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 산화물층 및 절연층을 연속하여 증착한 다음, 상기 게이트 전극과 대응하는 절연층 상에 제1 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 제1 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 절연층을 식각하여 에치스톱퍼를 형성하는 단계;상기 에치스톱퍼가 형성된 기판 상에 금속층을 형성한 다음, 상기 기판의 전면에 포토레지스트를 형성하고, 회절 마스크 또는 하프톤 마스크를 이용하여 두께가 서로 다른 제2 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 제2 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 금속층과 산화물층을 식각하여 채널층을 형성하는 단계; 및상기 채널층이 형성된 기판 상에 에싱 공정을 진행하여 제3 감광막패턴을 형성하고, 이를 마스크로 하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 및 제2감광막패턴은 기판의 배면으로부터 조사되는 광에 의해 패터닝하는 배면 노광 공정에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 게이트 전극은 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 니켈(nickel; Ni), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo), 티타늄(titanium; Ti), 백금(platinum; Pt), 탄탈(tantalum; Ta)과 같은 불투명 도전물질들 중 어느 하나를 선택하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 불투명 도전물질들 중 어느 하나와 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)과 같은 투명 도전물질들 중에서 어느 하나를 선택하여 다층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리,니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈 중 어느 하나를 선택하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치 제조방법
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