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기판;상기 기판의 상부에 배치되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상부에 배치되는 제 2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 광전 변환부를 포함하고,상기 광전 변환부는 p형 반도체층, i형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하고,상기 p형 반도체층은 제 1 도핑층, 제 2 도핑층 및 제 3 도핑층을 포함하며,상기 제 1 도핑층과 상기 제 3 도핑층 사이에 위치하는 상기 제 2 도핑층의 탄소(C) 함유량은 상기 제 1 도핑층 및 상기 제 3 도핑층의 탄소(C) 함유량보다 많은 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 도핑층의 탄소(C) 함유량은 3at%(원자량%) 이상 ~ 15at% 이하인 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 도핑층 및 상기 제 3 도핑층의 탄소 함유량은 0at% 초과 ~ 3at% 이하인 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 도핑층 및 상기 제 3 도핑층은 탄소를 함유하지 않는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 도핑층의 밴드갭(band gap)은 상기 제 1 도핑층 및 상기 제 3 도핑층의 밴드갭보다 큰 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 도핑층 및 제3 도핑층의 전기 전도도는 상기 제 2 도핑층의 전기 전도도보다 높은 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 도핑층, 제 2 도핑층, 및 제 3 도핑층은 비정질 실리콘과 결정질 실리콘이 혼합된 결정 구조를 가지는 박막 태양 전지
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8
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도핑층, 제 2 도핑층, 및 제 3 도핑층은 비정질 실리콘의 결정 구조를 가지는 박막 태양 전지
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 제 1 도핑층, 제 2 도핑층, 및 제 3 도핑층 각각의 결정화도는 2% ~ 50%인 박막 태양 전지
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10
제 9 항에 있어서,상기 제 1 도핑층 및 제3 도핑층의 결정화도는 상기 제 2 도핑층의 결정화도 보다 높은 박막 태양 전지
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11
제 1 항에 있어서,상기 제 2 도핑층의 두께는 상기 제 1 도핑층 및 상기 제 3 도핑층보다 두꺼운 박막 태양 전지
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 도핑층 및 상기 제3 도핑층의 두께는 각각 1nm ~ 10nm이고,상기 제 2 도핑층의 두께는 5nm ~ 20nm인 박막 태양 전지
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13
제 1 항에 있어서,상기 i형 반도체층은 비정질 실리콘 물질을 포함하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 i형 반도체층은 결정질 실리콘 물질을 포함하는 박막 태양 전지
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