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제 1 도전성 타입의 불순물이 도핑된 기판; 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;상기 에미터부 상부에 위치하는 반사 방지부;상기 에미터부와 전기적으로 연결되어 있는 제 1 전극부; 그리고,상기 기판에 전기적으로 연결되어 있는 제 2 전극부;를 포함하고,상기 기판은 단결정 실리콘 영역인 제 1 영역과 다결정 실리콘 영역인 제 2 영역을 포함하고,상기 제 1 영역에 위치하는 에미터부 표면에는 피라미드 형상의 제 1 크기를 갖는 복수의 제 1 돌출부가 형성되며, 상기 제 2 영역에 위치하는 에미터부 표면에는 상기 제 1 돌출부가 형성되지 않으며,상기 복수의 제 1 돌출부의 경사면 및 상기 제 2 영역에 위치하는 에미터부 표면에는 상기 제 1 크기보다 작은 제 2 크기를 갖는 복수의 제 2 돌출부가 형성되는 태양 전지
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2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 돌출부의 높이는 상기 제 2 돌출부의 높이보다 큰 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 돌출부의 높이는 5㎛ 이하이고, 상기 제 2 돌출부의 높이는 1㎛ 이하인 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 제 1 돌출부들의 돌출 끝단 사이의 간격은 상기 복수의 제 2 돌출부들의 돌출 끝단 사이의 간격보다 큰 태양 전지
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5
제 1 항에 있어서,상기 복수의 제 1 돌출부들의 돌출 끝단 사이의 간격은 7㎛ 이하이고, 상기 복수의 제 2 돌출부들의 돌출 끝단 사이의 간격은 1㎛ 이하인 태양 전지
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6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역의 기판 상부에 위치하는 반사 방지부의 두께는 상기 제 1 영역의 기판 상부에 위치하는 반사 방지부의 두께와 오차 범위 내에서 동일한 태양 전지
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7
제 6 항에 있어서,상기 오차 범위는 10%인 태양 전지
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8
제 1 항에 있어서,상기 기판의 제 1 영역 상부에서의 반사율은 입사광이 500nm 내지 1050nm 파장인 범위에서 10%이하이고, 상기 기판의 제 2 영역 상부에서의 반사율은 입사광이 500nm 내지 1050nm 파장인 범위에서 15
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9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역에 위치하는 상기 에미터부의 두께는 상기 제 2 영역에 위치하는 상기 에미터부의 두께와 동일한 태양 전지
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10
제 1 도전성 타입의 불순물이 도핑되며, 단결정 실리콘 영역인 제 1 영역과 다결정 실리콘 영역인 제 2 영역을 포함하는 기판의 표면 손상층을 제거하는 소우 데미지 에칭(saw damage etching)을 수행하여, 상기 제 1 영역에는 제 1 크기를 갖는 피라미드 형상의 제 1 돌출부를 형성시키고, 상기 제 2 영역에는 상기 제 1 돌출부를 형성시키지 않는 단계;반응성 이온 에칭(reactive ion etching; RIE)을 수행하여, 상기 제 1 돌출부의 경사면 및 상기 제 2 영역의 표면에 상기 제 1 크기보다 작은 제 2 크기를 갖는 제 2 돌출부를 형성시키는 단계; 및상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물을 상기 제 1 돌출부 및 제 2 돌출부가 형성된 상기 기판 표면 내부로 확산시켜 에미터부를 형성시키는 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 소우 데미지 에칭은 비등방성 에칭인 태양 전지 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 비등방성 에칭은 알카리 용액(alkaline solution)에 의해 수행되는 태양 전지 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 알카리 용액은 수산화칼륨(KOH) 또는 수산화나트륨(NaOH)을 포함하는 태양 전지 제조 방법
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14
제 10 항에 있어서,상기 에미터부 상부에 반사 방지부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제 1 돌출부의 높이는 상기 제 2 돌출부의 높이보다 큰 태양 전지 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제 1 돌출부의 높이는 5㎛ 이하이고, 상기 제 2 돌출부의 높이는 1㎛ 이하인 태양 전지 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 복수의 제 1 돌출부들의 돌출 끝단 사이의 간격은 상기 복수의 제 2 돌출부들의 돌출 끝단 사이의 간격보다 큰 태양 전지 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 복수의 제 1 돌출부들의 돌출 끝단 사이의 간격은 7㎛ 이하이고,상기 복수의 제 2 돌출부들의 돌출 끝단 사이의 간격은 1㎛ 이하인 태양 전지 제조 방법
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