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기판;상기 기판의 중앙 영역에 위치하며, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치한 적어도 하나의 광전 변환부를 포함하는 복수의 제1 셀; 및상기 기판의 가장자리 영역에 위치하며, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치한 적어도 하나의 광전 변환부를 포함하는 복수의 제2 셀을 포함하고,상기 제1 셀과 상기 제2 셀은 각각 서로 동일한 개수의 광전 변환부를 포함하며,서로 동일한 층에 위치하는 광전 변환부에 있어서, 상기 제2 셀의 광전 변환부는 상기 제1 셀의 광전 변환부보다 높은 밴드갭 에너지를 갖는 박막 태양전지 모듈
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제1항에서,상기 제1 셀과 상기 제2 셀의 전압 상대량{(제2 셀의 전압)/(제1 셀의 전압)}과 전류 상대량{(제1 셀의 전류)/(제2 셀의 전류)}은 100% 내지 120%를 각각 만족하는 박막 태양전지 모듈
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제1항에서,상기 제1 셀과 상기 제2 셀의 전압 상대량{(제2 셀의 전압)/(제1 셀의 전압)}과 전류 상대량{(제1 셀의 전류)/(제2 셀의 전류)}은 102% 내지 105%를 각각 만족하는 박막 태양전지 모듈
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제1항에서,서로 동일한 층에 위치하는 광전 변환부에 있어서, 상기 제2 셀의 전압은 상기 제1 셀의 전압보다 높은 박막 태양전지 모듈
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제1항에서,서로 동일한 층에 위치하는 광전 변환부에 있어서, 상기 제1 셀의 전류는 상기 제2 셀의 전류보다 높은 박막 태양전지 모듈
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제1항에서,상기 제2 셀은 상기 기판의 가장자리로부터 4cm 이내에 위치하는 박막 태양전지 모듈
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,서로 동일한 층에 위치하는 상기 제1 셀의 광전 변환부와 상기 제2 셀의 광전 변환부는 비정질 실리콘 게르마늄(a-SiGe)을 포함하는 진성 반도체층을 각각 포함하며,상기 제1 셀의 진성 반도체층은 상기 제2 셀의 진성 반도체층보다 높은 농도로 게르마늄을 함유하는 박막 태양전지 모듈
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제7항에서,상기 제1 셀들의 각각의 진성 반도체층에 포함된 게르마늄 농도는 상기 제2 셀에 가까워질수록 감소하는 박막 태양전지 모듈
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제7항에서,상기 제1 셀들의 각각의 진성 반도체층의 밴드갭 에너지는 상기 제2 셀에 가까워질수록 증가하는 박막 태양전지 모듈
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10
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,서로 동일한 층에 위치하는 상기 제1 셀의 광전 변환부와 상기 제2 셀의 광전 변환부는 미세결정 실리콘(μc-Si)을 포함하는 진성 반도체층을 각각 포함하며,상기 제1 셀의 진성 반도체층은 상기 제2 셀의 진성 반도체층보다 높은 결정화도를 갖는 박막 태양전지 모듈
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제10항에서,상기 제2 셀의 결정화도는 상기 제1 셀의 결정화도에 비해 7% 내지 10%가 낮은 박막 태양전지 모듈
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제10항에서,상기 제1 셀의 진성 반도체층에 접촉하는 시드층 및 상기 제2 셀의 진성 반도체층에 접촉하는 시드층을 더 포함하는 박막 태양전지 모듈
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제12항에서,상기 제1 셀의 시드층은 상기 제2 셀의 시드층보다 높은 결정화도를 갖는 박막 태양전지 모듈
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