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제1 전극부; 상기 제1 전극부와 대향 배치되며, 일면에 플라즈마 처리될 기판이 위치하는 제2 전극부; 및 상기 제2 전극부를 가열하는 가열 부재와 상기 제2 전극부를 냉각하는 냉각 부재를 포함하는 온도 조절부를 포함하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 냉각 부재는, 상기 제2 전극부 내에 위치하며 냉매가 순환되는 냉각 라인을 포함하는 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 가열 부재와 상기 냉각 라인은 상기 제2 전극부 내에서 서로 이격되어 배치되는 플라즈마 처리 장치
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제3항에 있어서, 상기 냉각 라인보다 상기 가열 부재가 상기 제2 전극부의 상기 일면에 더 가깝게 배치되는 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 온도 조절부는, 상기 제2 전극부의 온도를 측정하는 온도 측정 부재와, 상기 온도 측정 부재에서 측정된 온도에 따라 상기 가열 부재 및 상기 냉각 부재를 제어하는 제어 부재를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 냉매가 액체를 포함하는 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서, 상기 냉각 라인이 상기 제2 전극부 내에서 연속적으로 형성되는 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 냉각 라인이 상기 제2 전극부 내에서 병렬적으로 위치하는 복수의 냉각 라인들을 포함하는 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 냉각 부재는, 상기 냉매를 가열하는 열 교환기를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 가열 부재는, 상기 제2 전극부의 외곽 부분에 위치하는 제1 가열 부분과, 상기 제2 전극부의 중앙 부분에 위치하는 제2 가열 부분을 포함하는 플라즈마 처리 장치
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제10항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치의 작동 시, 상기 제1 가열 부분의 발열량보다 상기 제2 가열 부분의 발열량이 작은 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 냉각 라인은, 상기 제2 전극부의 외곽 부분에 위치하는 제1 순환 부분과, 상기 제2 전극부의 중앙 부분에 위치하는 제2 순환 부분을 포함하는 플라즈마 처리 장치
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제12항에 있어서, 상기 냉매는, 상기 제1 순환 부분을 순환하는 제1 냉매와, 상기 제2 순환 부분을 순환하는 제2 냉매를 포함하고, 상기 제1 냉매와 상기 제2 냉매의 냉매 효율이 서로 다른 플라즈마 처리 장치
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제13항에 있어서, 상기 제1 냉매의 냉매 효율보다 상기 제2 냉매의 냉매 효율이 큰 플라즈마 처리 장치
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